SKハイニックス、世界最高層の321段NAND基盤のUFS 4.1を開発…来年第1四半期量産
SKハイニックスは世界最高層である321段1Tbトリプルレベルセル(TLC)4D NANDフラッシュを適用したモバイル用ソリューション製品であるUFS 4.1を開発したと22日、明らかにした。 SKハイニックス側は“モバイルでオンデバイス人工知能(AI)を安定的に具現するためには搭載されるNANDソリューション製品も高性能と低電力特性を等しく備えなければならない”とし、“AIワークロードに最適化されたUFS 4.1基盤製品を通じ、フラッグシップスマートフォン市場でもメモリーリーダーシップを先導する”と述べた。
2025-05-22 15:26:34