SKハイニックスは、大学と共同で行った研究の中から次世代メモリ技術の競争力を高める優秀な発明5件を選定した。高速メモリインターフェースや次世代メモリ電極など、実際の製品開発に結びつく産学研究の成果を発掘し、未来技術の確保を目指すものである。
SKハイニックスは、16日にイチョンキャンパスで『2026産学研究課題優秀発明表彰式』を開催したと発表した。同社は2013年から毎年、産学共同研究の中で技術成果や特許価値が高い発明を選定して表彰している。今年は昨年出願された産学特許26件を審査し、最優秀賞1件、優秀賞1件、奨励賞3件を選定した。
最優秀賞には、ソウル大学の最優秀賞教授による『次世代マルチレベル信号伝送のための回路設計』特許が選ばれた。この技術は、演算チップとメモリの間でデータを迅速かつ効率的にやり取りする過程で発生する電源ノイズを低減し、高速データ伝送の安定性を向上させるものである。人工知能（AI）や高性能コンピューティングの拡大に伴い、メモリインターフェースの速度が重要になる中で、その活用可能性が認められた。
優秀賞には、延世大学の金亨俊教授の次世代メモリ用電極材料および素子特性制御技術が選ばれた。この技術は、別の材料や複雑な追加プロセスなしに、プロセス条件を調整することで電極と素子の特性を制御できるものである。実際の素子レベルで検証を終え、製品開発に適用できる完成度の高い点が評価された。
奨励賞には、ソウル大学の黄哲成教授の垂直型SOMセル堆積プロセス、ソウル科学技術大学の崔炳俊教授の次世代メモリ用前駆体およびプロセス、漢陽大学の韓在徳教授のUFS 5.0および次世代M-PHY高速インターフェース回路特許がそれぞれ選ばれた。
車善鎔 SKハイニックス未来技術研究院長は「産学協力を通じて発掘された優秀特許が国内半導体産業の技術競争力を高めることに寄与することを期待している」と述べ、「挑戦的で革新的な研究が活発に行われるよう、積極的な支援を続けていく」と語った。
* この記事はAIによって翻訳されました。
亜洲日報の記事等を無断で複製、公衆送信 、翻案、配布することは禁じられています。
