韓国のSKハイニックスが、次世代のAI向け超高性能DRAM「HBM4E」のサンプル供給に電撃着手した。先月、サムスン電子が世界に先駆けて同サンプルの出荷を発表してから、わずか1ヶ月足らずの動きだ。これにより両社は、現行のHBM4に続き、次世代のHBM4E市場でも正面衝突することとなり、AIメモリの覇権を賭けた本格的な「第2ラウンド」に突入した。
SKハイニックスは18日、第7世代の高帯域幅メモリ（HBM）となる「HBM4E」の12段積層サンプルの主要顧客向け供給を開始したと発表した。同製品は、現在量産中の第6世代（HBM4）の後継モデルであり、AIの学習および推論に不可欠なデータ処理性能を極限まで高めた超高性能チップだ。当初は今年下半期の供給が見込まれていたが、社内の開発プロセスが順調に進展したことで、供給時期を大幅に前倒しした格好だ。
今回の新製品は、前世代に比べ性能と電力効率をさらに一段階進化させている。ピンあたり最大16Gbps（秒間ギガビット）のデータ処理速度を実現し、電力設計の最適化によってエネルギー効率を20%以上改善した。
特に、同社独自の「アドバンスドMR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）」プロセスを採用することで、構造的な安定性を確立。12段積層で48GB（ギガバイト）の大容量を確保しつつ、熱抵抗を前世代比で約17%低減させた。これにより、負荷の高いAIコンピューティング環境で課題となる発熱問題を、より効果的に制御できるようになった。
SKハイニックス関係者は、「これまで蓄積してきたHBMの先行開発能力と生産ノウハウを基盤に、主要顧客との緊密な協業を進めている」とした上で、「適期量産に万全を期し、市場が求める価値を先制的に提供していく」と強調した。
これに対するサムスン電子の勢いも凄まじい。サムスンは5月末、世界初となるHBM4E（12段）サンプルのグローバル顧客向け供給を開始し、「超格差技術」をアピールしたばかりだ。今年2月にHBM4製品の世界初となる量産・出荷を発表してから、わずか3ヶ月で次世代ラインナップまで先制供給するという異例のスピード感を見せている。
サムスン電子のHBM4Eは、自社で検証済みの10ナノメートル級・第6世代（1c）DRAMと、4ナノメートルのファウンドリ（半導体受託製造）プロセスを同時適用し、生産性とプロセスの安定性を同時に確保した。低電力設計によりエネルギー効率を16%改善し、熱抵抗特性も14%以上向上させている。同社は、設計から製造、パッケージングまでを一括で請け負う「ワンストップ・ターンキー（一括受託）」戦略を最大の武器に、巨大IT企業（ビッグテック）のサプライチェーン確保において有利な高地を占める構えだ。
わずか1ヶ月の間に両社が相次いでサンプル供給を完了したことで、市場では次世代AIサプライチェーンの主導権を握るための熾烈な受注戦が再点火したと見ている。製品の特性上、顧客企業の極めて厳格な検証と最終承認をどちらが先に通過するかが、今後の市場の勝敗を大きく左右する見通しだ。
韓国半導体産業協会のアン・ギヒョン専務は、「両社ともに予想を上回るスピードで次世代製品の開発および検証を進めている」と指摘。「グローバルなビッグテック顧客による最終のクオリティ（品質）テスト通過の時期と、実際の量産への移行スピードが、今後のAIメモリ市場における主導権の行方を決める最大の分水嶺になるだろう」と分析している。
亜洲日報の記事等を無断で複製、公衆送信 、翻案、配布することは禁じられています。
