SKハイニックスは世界で初めて10ナノ級6世代1c微細工程を適用した16Gb DDR5 Dラムを開発したと29日、明らかにした。
SKハイニックス側は“10ナノ級Dラム技術が世代を重ね、微細工程の難易度が極度に高くなったが、当社は業界最高性能が立証された5世代(1b)技術力を土台に設計完成度を高め、一番先に技術限界を突破した”とし、“年内に1c DDR5の量産準備を終え、来年から製品を供給し、メモリー半導体市場の成長を導いていく”と強調した。
SKハイニックスは1b Dラムのプラットフォームを拡張する方式で1cを開発した。 これを通じ、工程高度化過程で発生しうる試行錯誤を減らすことはもちろん、業界最高性能のDラムと認められるSKハイニックス1bの強みを最も効率的に1cに移すことができると会社の技術陣は判断した。
また、極紫外線(EUV)の特定工程に新素材を開発適用し、全体工程のうち、EUV適用工程の最適化を通じて原価競争力を確保した。 設計技術の革新も並行し、前世代の1bに比べて生産性を30%以上向上させた。
高性能データセンターに主に活用される1c DDR5の動作速度は8Gbpsで、前世代比11%速くなった。 電力効率は9%以上改善された。 人工知能(AI)時代が本格化し、データセンターの電力消費量が増える中、クラウドサービスを運営するグローバル顧客がSKハイニックス1c DRAMをデータセンターに適用すれば、電力費用を以前より最大30%まで減らすことができると会社は期待している。
SKハイニックスのキム·ジョンファン副社長（Dラム開発担当）は“最高の性能と原価競争力を同時に満たした1c技術を次世代高帯域幅メモリー（HBM）、LPDDR6、GDDR7など最先端Dラム主力製品群に適用し、顧客に差別化された価値を提供する”とし、“今後もDラム市場のリーダーシップを守りながら、顧客から最も信頼されるAIメモリーソリューション企業の地位を強固にする”と述べた。
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