SKハイニックスが米国情報技術(IT)展示会で、次世代高帯域幅メモリー(HBM)を紹介した。
26日、業界によると、SKハイニックスは23~26日（現地時間）まで米ラスベガスで開かれた「HPEディスカバー2025(以下HPED)」に参加し、第6世代HBMである「HBM4」の16段製品を紹介した。 現在、最新製品であるHBM3E(第5世代)12段だけでなく、HBM4でも技術リーダーシップを継続する方針だ。
HPEDは米国のICT企業であるHPE(ヒューレットパッカードエンタープライズ)が開く行事で、今年の行事でSKハイニックスはHBM、サーバーDIMM(デュアルイン-ラインメモリーモジュール)、企業用SSD(eSSD)、CMM(CXLメモリーモジュール)-DDR5などの展示ブースを披露した。
注目されるのは、HBMセクションに展示された48ギガバイト(GB)HBM4 16段、36GB HBM4 12段、36GB HBM3E 12段の製品が展示されたという点だ。
SKハイニックスは今年3月、NVIDIAなど主要顧客会社にHBM4 12段のサンプル製品を供給しており、開発中のHBM4 16段は顧客の要求時点に合わせて供給する予定であり、時点は来年下半期と予想される。
また、10nm(ナノメートル·10億分の1m)級6世代(1c)微細工程技術を適用したRDIMM、MRDIMMなどDDR5 Dラム基盤のメモリーモジュールと低電力・高性能具現が可能なLPDDR5X基盤の高集積メモリーモジュールSOCAMMなども紹介された。
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