サムスン電子、第6世代Dラム「D1c」量産承認へ…HBM4競争の本格化
サムスン電子が10ナノ級6世代(D1c)微細工程を適用したDラムチップの開発に成功した。 D1cチップは、高帯域幅メモリー(HBM)ダイの生産工程技術として活用され、今後、HBM4(第6世代高帯域幅メモリー)の開発にも弾みがつく一方、グローバルDラム競争が本格化することになった。 30日、業界に詳しい関係者によると、サムスン電子・半導体(DS、デバイスソリューション)部門のメモリー事業部は同日午後、第6世代DラムのD1c開発に成功し、内部的にPRA(Production Readiness Approval)を終えた。 PRAとは、工程中に内部基
2025-07-01 13:41:36