ハンミ半導体は9日、次世代高帯域幅メモリ（HBM）生産向けの「第2世代ハイブリッドボンダー」プロトタイプを年内に発売すると明らかにした。2029年に本格的に量産が開始されるハイブリッドボンディング需要に先んじて対応するための戦略である。
先立って2020年、ハンミ半導体は第1世代HBM生産用ハイブリッドボンダーを発売し、核心技術と検証ノウハウを蓄積した。第2世代装置は、第1世代の開発経験と基礎技術を結集し、ナノメートル単位の精度、プロセスの安定性、歩留まりなどの完成度をさらに高めて開発される予定である。
ハンミ半導体によると、国内の複数の半導体装置企業とプラズマ、クリーニング、蒸着技術で共同開発を進めているという。
ハイブリッドボンディングは、チップとウェーハの銅（Cu）配線を直接接合する技術である。従来のはんだバンプを除去することでパッケージの厚さを削減しつつ、放熱性能とデータ転送速度を向上させることができ、20層以上の高層HBMで求められている。
ハンミ半導体は次世代装置の生産に向けたインフラ整備も加速させている。仁川広域市西区の周安国家産業団地に総額1000億ウォンを投資し、延床面積1万4595㎡（約4415坪）、地上2階規模のハイブリッド・ボンダー・ファクトリーを来年上半期の完成を目指して建設中である。
それに伴い、ハイブリッドボンディングの本格的な量産導入時期は2029年から2030年と見込まれている。
今年下半期には、HBMダイの面積を拡大した「ワイドTCボンダー」を発売する予定だ。ワイドTCボンダーはシリコンスルーピング電極（TSV）数と入出力インターフェース（I/O）数を安定的に増やすことができ、従来技術に比べてメモリ容量と帯域幅を拡張できる。
ハンミ半導体の関係者は「HBM用TCボンダーのトップノウハウをHBM用ハイブリッドボンダー技術に適用した」とし「顧客が次世代HBMの量産に本格的に取り組む時期に、完成度の高い装置を適時に供給する」と明らかにした。
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