SKハイニックスが来る2028年、DRAM量産工程にASML社の次世代露光装置である「高（High）NA極端紫外線（EUV）」装置を導入する。微細工程の限界を突破し、次世代DRAMの性能とコスト競争力を高めるための戦略とみられる。
9日のロイター通信などの報道によると、SKハイニックスは2028年の高NA EUV工程のDRAM量産適用を目標に掲げていることを明らかにした。あわせて、TSMCが主導する「大型マスクコンソーシアム（Large Size Mask Consortium）」への参加も検討している。
高NA EUVは、従来のEUV装置よりもさらに微細な回路を実現できる次世代の露光技術だ。光を集める能力を示す開口数（NA）が、従来のEUVの0.33から0.55へと向上する。より微細なパターンを一度に形成できるため、工程段階を削減すると同時に、半導体の性能と生産性を大幅に引き上げることが可能になる。
SKハイニックスは2021年、10ナノメートル級第4世代（1a）DRAMの量産にEUVを初めて適用して以降、先端DRAMへと適用範囲を拡大してきた。今回の高NA EUV導入により、既存のEUV工程を簡素化し、次世代メモリの開発スピードをさらに加速させる計画だ。
半導体露光工程の標準を書き換える動きにも歩調を合わせる。SKハイニックスは、従来の6インチフォトマスクを12インチへと大判化するコンソーシアムへの参加を前向きに検討している。フォトマスクは半導体の回路パターンをウェーファーに転写するための原版であり、大型化することで次世代露光工程の生産性と効率性を飛躍的に高めることができる。
当該コンソーシアムにはASMLをはじめとするグローバル半導体企業が名を連ねており、すでにサムスン電子も合流している。ここにSKハイニックスまでが参加すれば、次世代EUV装置と大判フォトマスクをめぐる世界の半導体業界の技術標準競争は、一層本格化するものと見込まれる。
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