SKハイニックスは2028年にDラムの量産工程にASMLの次世代露光装置「ハイNA極紫外線（EUV）」を導入する。これは、微細加工の限界を超え、次世代Dラムの性能とコスト競争力を向上させるための戦略である。
9日、ロイターなどによると、SKハイニックスは2028年にハイNA EUV工程をDラムの量産に適用することを目指している。また、TSMCが主導する「大判マスクコンソーシアム」への参加も検討している。
ハイNA EUVは、従来のEUV装置よりも微細な回路を実現できる次世代の露光技術である。光を集める能力を示す開口数（NA）が、従来のEUVの0.33から0.55に向上する。これにより、より微細なパターンを一度に形成できるため、工程の段階を減らしつつ半導体の性能と生産性を向上させることができる。
SKハイニックスは2021年に10ナノ級4世代（1a）Dラムの量産にEUVを初めて適用し、その後、先進的なDラムへの適用範囲を拡大してきた。ハイNA EUVを導入することで、従来のEUV工程を簡素化し、次世代メモリの開発速度を高める計画である。
半導体露光工程の標準を変える動きにも参加する。SKハイニックスは、従来の6インチフォトマスクを12インチに大型化するためのコンソーシアムへの参加を検討している。フォトマスクは半導体回路パターンをウェハーに転写するための原版であり、大型化することで次世代露光工程の生産性と効率性を向上させることができる。
このコンソーシアムにはASMLなどのグローバル半導体企業が参加しており、三星電子も加わっている。SKハイニックスが参加すれば、次世代EUV装置と大判フォトマスクを巡るグローバル半導体業界の技術標準競争も一層本格化する見込みである。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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