サムスン電子は用にん半導体国家産業団地に建設される初の半導体生産工場（ファブ）の稼働時期を2029年に前倒しする方針を推進している。政府が用にん国家産業団地の早期整備を進める中、当初2030〜2031年とされていた量産スケジュールも1〜2年早まる見込みである。
12日の業界によると、サムスン電子は用にん国家産業団地に建設する6つのファブのうち、1号ファブの稼働目標を2029年に設定し、事業スケジュールを調整している。この計画は最近、大統領主催のメガプロジェクト民間官合同点検会議でも議論されたとされる。
目標スケジュールが実現するためには、今年下半期に土地造成工事が始まり、2027年にはファブの着工が行われる必要がある。最先端の半導体工場の建設には通常2年程度かかるため、土地補償や収用再決定、施工業者の選定などの後続手続きも滞りなく進められなければならない。
政府の国家産業団地早期整備方針に合わせて、電力・用水供給のスケジュールも前倒しされることが期待される。政府が推進中の3ギガワット（GW）規模の液化天然ガス（LNG）発電所の早期着工や電力供給網の構築、段階的な用水供給計画が予定通り進められれば、2029年の稼働可能性も一層高まる見込みである。
用にん国家産業団地はサムスン電子の次世代半導体生産拠点であり、国家戦略事業である。初のファブの稼働時期が前倒しされる場合、AI半導体の需要により迅速に対応できるだけでなく、国内の素材・部品・設備エコシステムの構築や後続投資も予想以上に早まることが期待される。
サムスン電子は以前、メガプロジェクト計画を通じて平沢・用にん半導体クラスターに2030兆ウォン、湖南圏に400兆ウォンなどを投資する青写真を示したことがある。業界関係者は「用にん初のファブの早期稼働は生産能力の拡大とともに、国内半導体供給網の競争力を高める契機となるだろう」と述べた。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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