サムスン電子は、今年第2四半期において、グローバルなビッグテック企業の中で史上最大の四半期営業利益を記録した。人工知能（AI）インフラの拡大に伴い、D램やNANDフラッシュ、高帯域幅メモリ（HBM）などのメモリ半導体の価格と需要が急増し、上半期だけで150兆ウォンに達する営業利益を上げた。下半期もメモリ価格の強気とHBM4の供給拡大が続くと予想され、年間営業利益400兆ウォン達成の可能性も指摘されている。
7日、サムスン電子によると、今年第2四半期の連結基準の暫定営業利益は89兆4000億ウォンで、前年同期比1810.3%の増加となった。第1四半期の営業利益は57兆2000億ウォンで、上半期合算営業利益は146兆6000億ウォンに達する。昨年の上半期（11兆4000億ウォン）と比較して1186%の成長を示している。四半期基準で初めて営業利益が100兆ウォンを超えた。
グローバルな民間ビッグテック企業の中でも、四半期基準で最大の実績である。エヌビディアとアップルの過去最大の四半期営業利益はそれぞれ535億ドル（約82兆ウォン）、509億ドル（約78兆ウォン）である。サムスン電子は、成果給の引当金などの大規模な一時的費用を反映しつつも、これらの企業の従来の記録を超えた。
成果給の引当金を考慮すると、実際の利益創出力はさらに大きい。サムスン電子の労使は、昨年5月に半導体事業を担当するデバイスソリューション（DS）部門に営業利益の10.5%を原資とする特別経営成果給を支給する内容の賃金交渉に合意した。このため、第1四半期の成果給分約6兆ウォンと第2四半期の成果給分約11兆ウォンなど、17兆ウォン前後の引当金が第2四半期の実績に反映されたと見られる。これを反映しない場合、第2四半期の営業利益は約106兆5000億ウォンと推定される。
サムスン電子が記録的な実績を上げた背景には、D램、NAND、HBMなどメモリ全製品群の収益性の拡大がある。グローバルなAIインフラ投資が続く中、HBMとサーバー用D램、企業向けソリッドステートドライブ（eSSD）の需要が同時に増加している一方で、供給がこれに追いつかず、メモリ価格が急激に上昇している。
D램とNANDの価格は、今年第1四半期に前四半期比80〜85%上昇した後、第2四半期にも50%前後急増した。市場調査会社カウンターポイントリサーチは、今年第2四半期のグローバルメモリ市場規模が前四半期比60%以上増加した350兆ウォンに達すると予想している。下半期もメモリ半導体の価格上昇が続く見込みである。市場調査会社トレンドフォースは、D램価格がすでに史上最高水準に達しているにもかかわらず、今年第3四半期に13〜18%の追加上昇が見込まれると予測している。
半導体価格上昇に伴う収益性の拡大も当分の間続く可能性が高い。メモリ価格が急騰する中、顧客企業が安定した供給量を確保するために長期供給契約（LTA）を拡大しているためである。サムスン電子の第2四半期のメモリ供給契約の中でLTAの割合は約30%であり、第3四半期にはさらに増加する見込みである。
高収益製品であるHBMの実績寄与度は下半期にさらに拡大する見込みである。サムスン電子は昨年2月に世界初の6世代HBMであるHBM4を量産出荷した後、約4ヶ月で関連売上が10億ドル（約1兆5000億ウォン）を突破した。最近、累積売上が12億ドル（約1兆8500億ウォン）を超えたとされている。HBM4はエヌビディアが下半期に発売する次世代AIアクセラレーター『ベラ・ルービン』に搭載される予定であり、下半期から売上と利益の寄与度が本格的に拡大する見込みである。
今年、サムスン電子の年間営業利益が300兆ウォンを超え400兆ウォン達成の観測も出ている。証券業界が予想する今年の年間営業利益の平均は374兆ウォン程度である。グローバル投資銀行（IB）シティなど一部では年間営業利益の予想を400兆ウォンまで見込んでいる。上半期にすでに146兆6000億ウォンを稼ぎ出した上、下半期にもD램とNANDの価格上昇、HBM4の供給拡大が続くことから、上半期を超える利益を上げる可能性が高いとの分析がなされている。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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