![[写真=サムスン電子]](https://image.ajunews.com/content/image/2026/07/07/20260707083858193861.jpg)
サムスン電子は、2026年2四半期に売上171兆ウォン、営業利益89兆4000億ウォンを記録し、3四半期連続で過去最高の業績を達成した。20兆ウォンに迫る成果給引当金の負担にもかかわらず、昨年の年間営業利益の2倍以上の利益を1四半期で得た。人工知能（AI）への投資拡大により、メモリ半導体のスーパーサイクルが本格化し、グローバルビッグテックでも類を見ない業績を達成した。
サムスン電子は、連結基準で2026年2四半期の営業利益が89兆4000億ウォンで、前年同期比1810.3%増加したと7日に公表した。同期間の売上は171兆ウォンで129.3%増加した。営業利益は市場予想の84兆1606億ウォンを6.2%上回った。
サムスン電子は、昨年4四半期から3四半期連続で売上と営業利益の両方で過去最高記録を更新している。特に2四半期の営業利益は、昨年の年間営業利益43兆6011億ウォンの2倍を超えた。2023年から昨年までの3年間に得た営業利益合計82兆8700億ウォンよりも多い。
グローバルビッグテックと比較しても類を見ない記録である。エヌビディアとアップルの過去最大の四半期営業利益はそれぞれ535億ドル（約82兆ウォン）、509億ドル（約78兆ウォン）である。サムスン電子は今回の四半期営業利益だけでこれらの企業の従来の記録を超えた。
さらに今回の業績には、デバイスソリューション（DS）部門の大規模な成果給引当金などの一時的な費用が反映されている。昨年5月、DS部門の労使は営業利益に連動する特別経営成果給の導入に合意した。前四半期と今回の四半期にわたって反映された関連引当金は20兆ウォン近くと推定されており、これを除いた2四半期の営業利益は100兆ウォンを大きく超え、110兆ウォンに達する可能性があるとの分析もある。
業績の急増を牽引したのはメモリ半導体である。グローバルなAIインフラ投資が続く中、高帯域幅メモリ（HBM）と企業向けソリッドステートドライブ（eSSD）を中心に供給不足が深刻化し、AI需要が汎用DRAMやNANDフラッシュにも広がり、メモリ価格も急激に上昇した。業界ではDS部門だけで80兆ウォン前後の営業利益を得たと推定されている。
サムスン電子が世界最大級のメモリ生産能力（CAPA）を確保している点も、供給者優位市場での強みとして作用した。最近では、6世代HBMであるHBM4を世界初で量産出荷するなど、高付加価値製品の比率も拡大している。サムスン電子がグローバルビッグテックと長期供給契約（LTA）を相次いで締結し、生産能力の拡大に乗り出す中、一部の半導体ピークアウト懸念も和らいでいる。
一方、完成品を担当するデバイスエクスペリエンス（DX）部門は、半導体などの主要部品価格上昇に伴う原価負担により、相対的に不振な業績を記録したと分析されている。証券業界では、モバイルエクスペリエンス（MX）・ネットワーク事業部の営業利益を5000億～1兆ウォン、テレビ（VD）・生活家電（DA）事業部は1000億ウォン未満と推定している。サムスンディスプレイとハーマンの営業利益はそれぞれ5000億ウォン前後、2000億～3000億ウォン程度と推算されている。
下半期にはHBM4供給の拡大とファウンドリ先端プロセスの歩留まり改善が相まって、追加的な業績上昇の可能性も出てきている。サムスン電子の今年の年間営業利益市場予想は、最近3か月で366兆ウォンから最近1か月で374兆ウォンに引き上げられた。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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