米国のマイクロンや中国の創新メモリ（CXMT）などが生産能力の拡大を相次いで発表する中、グローバルな半導体企業間の増設競争が激化している。三星電子とSKハイニックスが中心となる国内の「3大メガプロジェクト」の推進も急務である。
6日、業界によると、マイクロンは前日、日本の広島工場で新しい製造棟の起工式を行い、生産ラインの拡大を公式に発表した。マイクロンは約2万8000㎡（約8470坪）の敷地に設備投資と研究開発（R&D）費用として総額14兆2000億ウォンを投入する計画である。これとは別に、日本の経済産業省も最大5兆ウォンの支援を行うことを決定した。
新築製造棟は2028年下半期の稼働を目指し、次世代DRAMと7世代高帯域幅メモリ（HBM4E）の量産を行う。日本はラピダスの2ナノプロセス開発、台湾のTSMC熊本工場に続き、マイクロンの最先端拠点を確保し、次世代半導体供給網を完成させた。
マイクロンは今年1月、米国アイダホ州とニューヨークでも大規模な増設に着手した。特に2030年に稼働予定のニューヨークファブは、総額153兆ウォンが投入される超大型プロジェクトである。米国半導体法に基づき、連邦政府から約8兆4000億ウォンの補助金と大規模な税制優遇が確定している。
中国の追撃も厳しい。創新メモリ（CXMT）は先月、「2030年にグローバルDRAM市場で3位を達成する」という目標を掲げ、今後半期に上海で大規模な設備投資を行うことを予告した。合肥や北京など既存の3つのファブだけでは需要の増加に対応できないとの判断からである。
CXMTは投資費用の半分に近い約6兆6500億ウォンを上海証券取引所での企業公開（IPO）を通じて調達する方針である。新しいラインが稼働すれば、CXMTの月間ウェハ生産能力は現在の2倍の60万枚に達する見込みである。
国内企業も生産施設の拡充に向けて総力戦に突入した。三星電子とSKハイニックスが中心となるホナム地域の半導体メガファブ用地として、光州軍空港がこの日最終選定された。政府は先月、3大メガプロジェクトの国民報告会で新しいファブ4基の建設計画を公式化した後、1週間でこのニュースが出た。ただし、どちらの企業がこの地に拠点を置くかはまだ決定されていない。
用地選定から許認可まで、初めての工事に着手するまで通常5～7年かかる前例と比較すると、異例のスピードである。グローバル供給網の再編速度に遅れれば淘汰されるとの政府と業界の切迫感が反映されているとの評価がある。以前、SKハイニックスの龍仁一般産業団地は2019年に用地が確定した後、自治体間の対立や環境影響評価の却下などを経て、昨年2月にようやく着工した。
イ・ジョンファン上明大学システム半導体工学科教授は、「政府の迅速な用地選定と行政支援は非常に励みになる」としつつも、「半導体工場は用地確保後に電力や水などの核心インフラが適時に供給される必要があるため、今後は主務省と地方政府の有機的な協力が鍵となる」と述べた。
* この記事はAIによって翻訳されました。
