顧客オーダーメード型Dラムを強調したサムスン電子…12段HBM3Eで主導権を取り戻すか
サムスン電子がライバル会社より人工知能(AI)半導体の容量拡張に有利な「12段積層HBM3E(5世代高帯域幅メモリー・Shinebolt)」Dラムを土台に、AI時代の主導権を取り戻すと宣言した。 2025年にはDラムチップを最大16段まで積んだHBM4(第6世代高帯域幅メモリー)を先制的に公開し、NVIDIA・AMDなど顧客の需要に積極的に対応する方針だ。 18日、サムスン電子・DS(デバイスソリューション・半導体)事業部はニュースルームに掲載したHBM事業担当役員インタビュー記事で、こうした未来事業計画を公開した。 サムスン電子は今
2024-04-19 14:42:54