サムスン電子とSKハイニックスは、次世代メモリ技術の主導権を守るため、グローバル半導体企業との協力を強化している。単に最新の設備を先に確保するレベルを超え、技術開発や標準策定に直接参加する姿勢を見せている。メモリ超格差を守る競争の舞台が、個別企業の製造能力からグローバル半導体エコシステム全体に広がっていることを意味する。
サムスン電子は、ASMLが主導する大規模マスクコンソーシアムに参加し、微細加工基準として確立された既存の6インチフォトマスク（ウェーハに回路パターンを刻む型）を12インチに拡大する作業に着手した。同時に、2028年に業界初のハイ（High）-NA EUVを適用した先端DRAMの量産を推進する方針を打ち出している。SKハイニックスも2028年のDRAM量産にハイ-NA EUVを適用する目標を掲げ、12インチマスク関連コンソーシアムへの参加を検討中である。
ハイ-NA EUVは、従来のEUVよりもさらに微細な回路を実現できる次世代露光技術である。これに大規模マスクを組み合わせることで、生産性を向上させ、製造コストを低下させることが可能となる。ASMLとTSMCは、2031年までに12インチマスクの試作生産ラインを構築し、2033年には本格的な量産準備を整える計画である。サムスン電子とSKハイニックスがこの過程に早期に参加することは、単なる設備導入以上の意味を持つ。今後の半導体製造の規格と標準を作る過程に主導的に関与する意向を示しているからである。
韓国の半導体が世界最高水準の製造競争力を持っていることは明らかである。DRAMやHBMなどメモリ分野で蓄積したプロセス技術と量産経験は、容易に追いつけるものではない。しかし、中国の追撃を考慮すれば、安心してはいられない。CXMTやYMTCなどの中国メモリ企業は、巨額の政府支援を背景に生産能力と技術力を急速に引き上げている。まだ韓国との技術格差は存在するが、中国が巨大な内需市場を基盤に競争力を高めている点は警戒すべきである。
さらに重要なのは、半導体競争の性質自体が変わりつつあることである。AI時代には、メモリをうまく製造するだけでは競争力を維持できない。先端露光装置、材料・部品、設計、ファウンドリー、先端パッケージング、ソフトウェアとAI企業が一つのエコシステムとしてつながる必要がある。特にAI半導体を開発するビッグテックとの協力は、もはや選択肢ではなく必須に近い。
今後は、ビッグテックが求めるHBMや次世代メモリを単に納品するだけでなく、製品開発の初期段階から共に設計し、新しいメモリやパッケージング技術を共同で作り上げる必要がある。顧客と供給者の関係を超え、技術を共に作るパートナーとなるべきである。
政府も我が国の企業がグローバル協力網の中心に立てるよう、研究開発や人材育成を積極的に支援する必要がある。国内投資が遅れないよう、規制を整備することも急務である。企業の競争力を政府が代わりに作ることはできないが、競争できる環境を整えることは政府の役割である。
メモリ超格差は永遠の権利ではない。技術は急速に変わり、競争者は絶えず追いかけてくる。今や格差を守る方法も変わるべきである。サムスン電子とSKハイニックスは、世界最高の製造競争力を維持しつつ、ASML・TSMC・ビッグテックなどのグローバル先導企業と技術エコシステムを緊密に結びつける必要がある。一人で先行する企業よりも、共に技術の方向性を作る企業が長く生き残る。
* この記事はAIによって翻訳されました。
