三星電子の李鎮燁副社長、宋根石HKイノエン副社長、張志恩SKハイニックス副社長が科学技術勲章を受賞した。
科学技術情報通信部（科学技術情報通信省）は7日、ソウル・汝矣島のフェアモント・アンバサダー・ソウルで、科学技術中心の韓国の大躍進を誓う『2026技術開発の日』記念式典を開催し、科学技術勲章を授与したと発表した。
今回の行事は、科学技術者が尊重される社会風土を定着させるために開催され、今年初めて法定国家記念日として指定された。
記念式典には、韓成淑国務総理、宋基憲科学技術情報放送通信委員長、崔亨斗国会議員、具赫彩科学技術情報通信部第1次官、具子均韓国産業技術振興協会長などが出席した。
この日、政府は民間研究開発及び技術経営に貢献した功労者に対して、政府表彰55点、副総理表彰35点、優秀研究者賞（韓国産業技術振興協会長賞）11点などの授与を行った。
技術開発の日の功労部門は、国家産業の発展と技術競争力の向上に長期間献身した企業研究者と企業を対象に授与された。
その中で、科学技術勲章は合計3点で、科学技術革新賞は李鎮燁三星電子副社長、張志恩SKハイニックス副社長、宋根石HKイノエン副社長が受賞した。
李副社長は、世界初の1Gb NANDフラッシュメモリの量産と垂直積層NANDフラッシュメモリの開発が評価され、科学技術革新賞（2等級）を受賞した。
科学技術雄飛賞（3等級）は、既存の胃腸疾患治療薬が持っていた食前服用・効果遅延の限界を克服した宋副社長に授与された。
超高容量サーバーDRAMメモリの開発と低電力・高帯域幅で動作する小型モバイルメモリを開発した張副社長も科学技術雄飛賞を受賞した。
科学技術表彰は合計4点で、コギオク韓国航空宇宙産業飛行制御法則チーム長、リュ・ジンホポスコ研究員、パク・ウジンLSエレクトリックグローバル製品開発研究団長、イ・ホギ三星重工業環境研究センター長がそれぞれ受賞した。
大統領表彰はアン・ビョンウンパークシステムズ株式会社研究所長など13名が受賞した。団体部門ではCN1など7社が選ばれた。
国務総理表彰の個人部門では、ハ・ソンアハイパーニューロテック代表取締役など20名が受賞した。団体部門ではエイテックなど8社が選ばれた。
企業研究技術振興功労部門では、個人部門でパク・テジョジャステム副社長など25名が受賞した。団体部門ではSNCラボなど10社が受賞した。
優秀研究者賞は、企業附属研究所で研究開発プロジェクトを成功裏に実行し、次世代F&Dリーダーとして成長する優秀な研究人材に対して韓国産業技術振興協会長賞11点が授与された。
韓成淑国務総理は「韓国の未来の45万人の技術開発者に心から感謝する」と述べ、「技術開発者が国の経済を牽引する原動力である」と強調した。続けて「政府は技術開発者が失敗を恐れない環境を作るために努力する」と付け加えた。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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