サムスン電子は24日（現地時間）、アメリカ・サンフランシスコのザ・ミッドウェイで開催された『AIサミット』において、グローバルAI半導体企業ブロードコムと次世代AIの核心インフラ構築に向けた戦略的業務協約（MOU）を締結した。
AIサミットには、ハン・ジンマンサムスン電子ファウンドリ事業部長社長やホク・タンブロードコムCEOをはじめ、両社の経営陣や政府関係者が出席した。
サムスン電子は、メモリ、ファウンドリ、先端パッケージングを網羅する世界唯一の『ワンストップターンキーソリューション』を基盤に、ブロードコムとの協力を拡大し、次世代AI半導体市場で差別化された顧客価値を提供する予定である。
今回の協約により、両社は2030年までの5年間でメモリ・ファウンドリ分野において2000億ドル以上の規模の戦略的協力を推進し、AI半導体分野の技術協力を一層拡大していく計画である。
◆最先端HBMソリューションでブロードコムAIアクセラレーターの競争力強化
最近、グローバルなビッグテック企業を中心に自社AIアクセラレーター（ASIC）の導入が急速に拡大している中、今回の協力はカスタム半導体設計分野をリードするブロードコムとメモリ・製造・パッケージング技術を網羅するサムスン電子の能力を結集し、次世代AI半導体の競争力を高める点で意義が大きい。
サムスン電子は、世界最高水準のメモリ技術力と超格差競争力を基盤にHBMをはじめとする最先端メモリソリューションを供給し、ブロードコムAIアクセラレーターの性能と競争力強化に寄与する。
業界初の1c DRAMと4nmベースダイ技術を適用したHBM4を今年2月に世界初で量産出荷したのに続き、5月にはHBM4Eサンプルも業界初で顧客に供給し、次世代HBM技術のリーダーシップを維持している。
サムスン電子のHBMは、業界をリードする性能と信頼性、電力効率性を基盤にブロードコムAIアクセラレーターの性能を最大化し、次世代AIインフラ競争力を支える核心メモリソリューションとして活用される予定である。
◆2ナノファウンドリ・先端パッケージングでブロードコムAIチップの競争力強化
ファウンドリ分野では、ブロードコムの次世代高速データ通信を支える通信用半導体ソリューションなど主要製品ラインに2ナノ以下の先端ファウンドリプロセスを適用し、製品競争力を一層強化する。
また、サムスン電子は2ナノプロセスに基づく先端パッケージング技術を通じて高性能・高効率AI半導体の実現を支援し、ブロードコムに差別化されたAI半導体ソリューションを提供する。
さらに、サムスン電子は半導体設計とプロセスを最適化する段階からチップ設計、先端パッケージング、量産に至るまで全過程を緊密に連携させ、製品開発期間を短縮し、性能と電力効率を最大化できるよう支援する。
サムスン電子は、これらの技術競争力を基盤にブロードコムとの次世代AI半導体分野の協力を持続的に拡大し、急成長するAI・高性能コンピューティング市場で新たなビジネス機会を積極的に発掘していく計画である。
◆全英賢副会長「AI時代、統合半導体ソリューションが核心競争力」
今回の協約は、AI時代の核心半導体技術であるメモリ、ファウンドリ、先端パッケージング全般にわたる両社の協力を一層強化し、次世代AI半導体エコシステムの競争力を高めるための戦略的パートナーシップとして評価される。
サムスン電子の全英賢DS部門長副会長は「AI時代にはメモリ、ロジック、先端パッケージングが緊密に統合された半導体ソリューションが重要である」と述べ、「ブロードコムとの協力を拡大することで未来のAIインフラの発展を加速し、顧客により大きな価値を提供する」と語った。
チャーリー・カワスブロードコム半導体ソリューショングループ社長は「AIインフラが急速に拡大する中、半導体エコシステム全体の緊密な協力が重要になっている」と述べ、「サムスン電子との協力を通じて多様化する市場の要求に最適化された次世代ソリューションを共に作り上げていく」と語った。
サムスン電子は今回の協約を通じて次世代半導体技術リーダーシップと製造能力を向上させ、グローバルAI半導体エコシステムの革新を主導していく方針である。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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