SKハイニックスが米ナスダック上場を通じて確保する43兆ウォン規模の資金の使途に対する業界の関心が高まっている。来年の完成を控えた用イン半導体クラスターをはじめ、清州の新しいパッケージング工場、さらには長期的な課題である西南部プロジェクトに至るまで、全方位的な設備投資（CAPEX）シナリオが具体化している。
7日（現地時間）に外信と業界によると、10日に予定されているSKハイニックスの米国株式預託証券（ADR）上場は、グローバルな大手機関投資家が集まり、成功裏に行われた。ブルームバーグは「グローバル投資家がSKハイニックスの高帯域幅メモリ（HBM）市場での支配力と成長性に賭けた」と評価した。
確保された資金の大部分は、京畿道用インの半導体クラスターと、忠清北道清州の新しいファブ建設に集中投資される。最初に投入されるのは、来年完成を予定している用インクラスター1期ファブである。SKハイニックスは、2月に21兆6000億ウォン規模の追加投資を予告した。初のクリーンルームのオープン時期も来年2月に前倒しされた。現在、クリーンルームの仕上げ工事が進行中であり、今回のADR資金は用インファブの核心設備の搬入と初期稼働の安定化に必要な資金リスクを完全に解消する見込みである。
清州も重要な投資拠点である。今年上半期に量産を開始したM15X新工場は、当初の5世代（1b）DRAM中心から最近6世代（1c）DRAMへの設備投資を拡大している。今年下半期に出荷を予定しているNVIDIA向けの6世代高帯域幅メモリ（HBM4）など、グローバルな需要に先手を打つためである。必須インフラである極紫外線（EUV）露光装置の導入には約12兆ウォンが投じられる。先端パッケージング専用ファブであるP&T7も来年末の完成を目指して加速している。
一部の資金は、西南部半導体ファブの新設など、政府の『3大メガプロジェクト』に参加するための種銭として活用される予定である。光州と清州にそれぞれメモリファブ2期の新設と次世代NANDフラッシュの拠点を育成するこの事業には、総額500兆ウォンを超える資金が投入される。これにより、先に確保した流動性は、巨大なメガプロジェクトを長期的に支える堅実な後ろ盾となると業界は分析している。
国内の半導体素材産業も波及効果を期待している。SKハイニックスは用インクラスター内に50社以上の協力企業とともに半導体協力団地を形成中である。
安基賢 韓国半導体産業協会専務は「半導体業界の変動性の中で、外資誘致の形で大規模な資金を先に確保したことは、対外リスクの中でも長期的な投資の原動力を揺るがすことなく確保した点で意義が大きい」と述べ、「これを適時に投入することで、グローバルAIメモリの主導権を確実に固める契機となるだろう」と見込んでいる。
* この記事はAIによって翻訳されました。
