サムスン電子、オンデバイスAI最適化UFS 5.0を開発…業界初

UFS 4.1比で電力効率40%改善

前作比で16.7%小型化したパッケージ実現

サムスン電子 UFS 5.0 製品 [写真=サムスン電子]

サムスン電子は、オンデバイスAI時代に最適化された業界最高性能の次世代UFS 5.0メモリソリューションを業界初で開発した。生成型AIがスマートフォンやウェアラブル、拡張現実(XR)機器などの端末内部で直接動作するオンデバイスAI時代に移行する中、高性能・低電力のストレージ需要が急増していることを受け、次世代標準を先取りする戦略である。

サムスン電子は最近、半導体標準化機関JEDECの最新内蔵メモリ規格であるUFS 5.0インターフェースを適用した次世代フラッシュメモリソリューションの開発を完了したと発表した。今回の製品はサムスン電子の9世代V-NAND(V9)を基に設計されており、データ転送性能と電力効率を同時に向上させたことが特徴である。

UFS 5.0は業界最高水準の1秒あたり10.8GBの順次読み取り速度と9.5GBの順次書き込み速度を実現した。これは従来のUFS 4.1に比べて2倍以上の向上である。

大規模AIモデルや高解像度コンテンツ、リアルタイムデータ処理など高性能環境での迅速な保存と呼び出しが可能となり、AIサービスの応答速度とユーザー体験の大幅な改善が期待される。

特にオンデバイスAIの普及に伴い、モバイルストレージは単なるデータ保管スペースを超え、AI演算を支える重要なインフラとして浮上している。スマートフォン内部で生成型AIを実行する場合、大規模言語モデル(LLM)や画像・映像データ処理量が急激に増加するため、高速ストレージの重要性がさらに高まっている。

電力効率も大幅に改善された。UFS 5.0には使用しない回路の動作を遮断するクラックゲーティングや回路ごとの最適電圧を適用するマルチボルテージ技術が採用されている。これにより、前作に比べて電力効率を40%以上向上させ、同じデータ転送時の消費電力を大幅に低下させ、モバイル機器のバッテリー使用時間を延ばすことができる。

製品サイズも縮小された。サムスン電子は横7.5㎜、縦13㎜、高さ0.9㎜のパッケージを実現し、前作に比べて面積を約16.7%縮小した。これにより、スマートフォンはもちろん、スマートウォッチ、AIウェアラブル、XR機器など多様なフォームファクターで設計の柔軟性が向上する。容量は最大1TBまでサポートする計画である。

サムスン電子は今年第4四半期からUFS 5.0の本格的な量産に入る。今後、フラッグシップスマートフォンをはじめ、XRヘッドセットやAIウェアラブルなど次世代デバイス市場への供給を拡大する方針である。

最長石サムスン電子メモリ事業部商品企画チーム長(常務)は「オンデバイスAI時代にはストレージがAI体験を決定する核心要素となる」と述べ、「業界初のUFS 5.0開発を通じて次世代モバイルストレージの新しい基準を提示し、AIモバイル革新を引き続き主導していく」と語った。

* この記事はAIによって翻訳されました。

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