サムスン電子の高帯域幅メモリー(HBM)製品である第5世代HBM(HBM3E)12段製品がAMDの次世代人工知能(AI)加速器「MI350」シリーズに採択された。 今回の供給契約で、サムスン電子のHBM製品欠陥説を払拭させる一方、最大需要先であるNVIDIA納品への期待感も可視化したという評価だ。 下半期の業績改善も期待される。
13日、業界によると、AMDは12日(現地時間)、米カリフォルニアのサンノゼコンベンションセンターで開かれた「AIアドバンシング2025」で、新型AI加速器のMI350X・MI355Xにサムスン電子とマイクロンのHBM3E 12段が搭載されると公開した。 サムスン電子は既存にAMDに4世代HBM(HBM3)などを供給してきたが、AMDがHBM3E 12段の供給を公式確認したのは今回が初めてだ。
MI350シリーズに導入されたHBM3E 12段製品は、サムスン電子が昨年開発を完了した36ギガバイト(GB)容量のHBM3E 12段Dラムだという。 この製品は24Gb(ギガビット)DラムチップをTSV(Through-Silicon Via)技術で垂直積層し、計12段で構成され、単一パッケージで36GBの高容量を提供する。
今回のHBM3E 12段は、前作であるHBM3E 8段製品に比べ、性能と容量が50%以上向上したという。 1秒当たり最大1280GBの帯域幅を提供し、1024つの入出力(I/O)通路で1秒当たり最大10Gbの速度を処理することができる。
AMDが来年発売するMI400シリーズに搭載するHBM4もサムスン電子と協力する可能性が高い。 この日のイベントでAMDは来年発売する「MI400シリーズ」にグラフィック処理装置(GPU)当たり432GB HBM4を搭載すると明らかにした。
HBM4 12段製品はSKハイニックスが3月に初めて顧客会社にサンプルを提供した。 最近、マイクロンも顧客会社にHBM4のサンプルを送ったと明らかにしている。 サムスン電子は年内にHBM4を開発する計画だ。HBM競争でSKハイニックスに遅れたサムスン電子は、HBM4を基点に反転を狙うという覚悟だ。
サムスン電子・DS部門のチョ·サンヨン米国法人(DSA)総括は自分のSNSを通じ、“AMDの次世代プラットフォームの基盤となるHBMを提供することになったことは誇りに思う”とし、“これは性能、効率性、革新に対する長年のパートナーシップと共同の約束を反映する”と明らかにした。
半導体業界関係者は“今回のAMDへの供給成果はこれまで提起されたサムスン電子HBMの品質論難を一定部分解消するのに役立つだろう”とし、“今後、NVIDIAにHBM3E供給が始まれば、HBM事業に弾みがつくだろう”と期待した。
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