サムスン電子が高帯域幅メモリー(HBM)第5世代であるHBM3E改善製品を今年第1四半期末から主要顧客会社に供給する。
サムスン電子は31日に開かれた実績カンファレンスコールで、“HBM3E改善製品は第1四半期末から供給する予定”とし、“可視的な供給増加は第2四半期に本格化するだろう”と明らかにした。 続いて“第6世代(1c)Dラム基盤のHBM4は、今年下半期の量産を目標に開発している”と説明した。
サムスン電子は昨年第3四半期からHBM3E 8段、12段製品を量産販売中である中、HBM3E改善製品はNVIDIAが発熱、電力効率などの改善を要求し、開発に着手したと知られた。
また、HBM3E改善製品の可視的な供給増加は、第2四半期から本格化するものと予想した。
サムスン電子は“最近、米国政府で発表した先端半導体輸出統制の影響だけでなく、当社の改善製品計画発表以後、主要顧客会社の既存需要が改善製品側に移り、HBMの一時的な需要空白が発生するものと見られる”とし、“ただし、第2四半期以後の顧客需要は8段から12段に既存予想対比早く転換されるだろう”と予測した。 それと共に、“2025年のHBMビット供給量は前年比2倍水準に拡大する見通し”と付け加えた。
これを受け、HBM3E改善製品を顧客の需要に合わせてランプアップ（生産量拡大）するなど、2025年の全体HBMビット供給量を前年比2倍水準に拡大する計画だ。
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