サムスン電子が昨年、業況不振にもかかわらず、歴代最大規模の施設投資を断行するなど、未来投資に積極的に乗り出している。
31日、サムスン電子によると、昨年第4四半期の施設投資に17兆8000億ウォンを投資した。 これは前四半期比5兆4000億ウォン増加した規模だ。
事業別にはDS(半導体)部門が16兆ウォン、ディスプレイ事業に1兆ウォンだ。
これでサムスン電子は昨年、年間設備投資規模で53兆6000億ウォンを投入することになった。 過去最大規模だった2022年(53兆1153億ウォン)を越えた数値だ。 事業別に見れば、DSに46兆3000億ウォン、ディスプレイに4兆8000億ウォンが投資された。
メモリーは未来技術リーダーシップ確保のための研究開発費執行とHBMなど先端工程生産能力拡大のための投資を持続し、前四半期および年間対比投資が全て増加した。 一方、ファウンドリは市況悪化で、前年対比年間投資規模が減少した。
ディスプレイは中小型ディスプレイを中心に競争力優位確保のための投資を持続し、前年対比年間投資規模が増加した。
サムスン電子は“今年の細部的な投資計画はまだ確定していないが、メモリー投資は前年水準と類似するものと展望される”とし、“今後も未来競争力確保のための施設投資および研究開発費投資を着実に継続していく方針”と明らかにした。
また、昨年第4四半期の研究·開発(R&D)費用の執行規模は10兆3000億ウォンで、歴代四半期最大を記録した。 昨年に入って歴代四半期最大だった第3四半期の8兆8700億ウォンの研究開発投資記録を更新したのだ。 年間でも最大規模の35兆ウォンの研究開発投資が行われ、技術中心の投資を続けた。
一方、同日のサムスン電子の業績発表によると、第4四半期の売上は75兆7883億ウォンを記録し、昨年1年間の売上は歴代2番目の規模である300兆8709億ウォンを達成した。 昨年の営業利益は32兆7260億ウォンで、前年より398.34%増加した。 特に、半導体部門の売上は111兆1000億ウォンで、初めて100兆ウォンを超えた。
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