SKハイニックス、世界初の12段積層「HBM3」開発···AIチャットボット需要に対応

[SKハイニックス、世界初の12段積層「HBM3」開発···AIチャットボット需要に対応]


 
SKハイニックスが世界で初めてDラム単品チップ12つを垂直積層し、現存最高容量の24GB(ギガバイト)を具現したHBM3新製品を開発した。 最近、人工知能(AI)チャットボット産業が拡大し、増えるプレミアムメモリー需要に対応するためだ。
 
20日、半導体業界によると、SKハイニックスは20日、世界で初めてHBM3新製品を開発し、顧客会社から製品の性能検証を受けている。
 
HBM(高帯域幅メモリー)は、複数のDラムを垂直に連結し、従来のDラムよりデータ処理速度を革新的に引き上げた高性能製品だ。 HBM3は第1世代(HBM)、第2世代(HBM2)、第3世代(HBM2E)に続く第4世代製品だ。 従来のHBM3の最大容量はDラム単品チップ8つを垂直積層した16GBだった。
 
SKハイニックス関係者は“当社は昨年6月、世界で初めてHBM3を量産したのに続き、今回既存対比容量を50%高めた24GBパッケージ製品を開発することに成功した”とし、“最近、AIチャットボット(Chatbot、人工知能対話型ロボット)産業が拡大し、増えているプレミアムメモリー需要に合わせて下半期から市場に新製品を供給できるだろう”と強調した。
 
SKハイニックスの技術陣は、今回の製品にアドバンスド(Advanced)MR-MUFとTSV技術を適用した。
 
MR-MUFは半導体チップを積み上げた後、チップとチップの間の回路を保護するため、液体形態の保護材を空間の間に注入して固める工程だ。 フィルム型素材を敷く方式より工程が効率的で、熱放出にも効果的だ。
 
SKハイニックスはDラムチップに数千つの微細な穴を開け、上層と下層チップの穴を垂直に貫通する電極で連結するTSV技術を通じ、従来比40%薄いDラム単品チップ12つを垂直に積み上げ、16GB製品と同じ高さで製品を具現した。
 
TSV技術が適用されたSKハイニックスのHBM3は、フルHD映画163本を1秒で伝送する、1秒当たり819GBの速度を具現する。
 
SKハイニックスが2013年に世界で初めて開発したHBMは、高性能コンピューティングを要求する生成型AIに必須のメモリー半導体製品として業界の注目を集めている。
 
特に、最新規格であるHBM3は大量のデータを迅速に処理するのに最適なメモリーと評価され、ビッグテック企業の需要が次第に増えている。
 
さらに、台湾市場調査会社のトレンドフォースは18日の報告書で、AIサーバー需要の急成長に支えられ、今年のSKハイニックスのHBM市場占有率が50%を超えるだろうと展望した。 トレンドフォースは2022年、SKハイニックス、サムスン電子、マイクロンの3社のグローバルHBM市場シェアをそれぞれ50%、40%、10%と推定した。
 
トレンドフォース側は“今年下半期に主要供給業者3社ともHBM3製品の大量生産を計画している”とし、“現在としてはSKハイニックスがHBM3製品を量産する唯一の供給者”と診断した。
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