サムスン電子は12日、忠南アサンの温陽キャンパスで高帯域幅メモリ（HBM）パッケージング工場の5ライン着工式を行い、北側の平沢のHBM用DRAM増産と南側の光州の新ファブを結ぶ後工程拠点の構築に乗り出した。サムスン電子は天安のHBM積層設備に温陽の組立・検査基盤を加え、忠清がチップを最終的に完成させる役割を担う計画である。首都圏から湖南にかけての半導体ベルトの中央に後工程基地を設けることになる。
12日、政治界と業界によると、サムスンが温陽を選んだ背景には、ここが1991年から半導体の組立・検査を行ってきた事業所である点が挙げられる。近隣の天安にはすでにHBMとウェーハレベルパッケージング（WLP）生産施設があり、ウェーハ加工を終えたチップを出荷可能な製品にする技術と人材が2つの場所に集まっているという説明である。
このような分業の代表例としてHBM4が挙げられる。サムスンのHBM4にはデータを保存する10ナノ級6世代（1c）DRAMと信号伝達を制御する4ナノロジックベースダイが一緒に入っている。メモリとファウンドリー工程でそれぞれ作られたチップが一つの製品になる場所がパッケージングラインである。業界では平沢でDRAM生産量が増えても、チップを積み上げて接続し検査する設備がその量を処理しなければ、顧客に供給するHBMが増えないと見ている。首都圏の前工程投資と忠清圏の後工程投資が組み合わさる理由である。
首都圏の本陣も工場ごとに役割が分かれている。亀井では次世代プロセスを開発し量産に先立って検証を行い、サムスンはここに複合研究開発団地に2030年まで20兆ウォンを投資する計画である。華城にはDRAM生産ラインと極紫外線（EUV）露光技術を適用したファウンドリーがあり、平沢はメモリと先端ファウンドリーの大量生産を担っている。特に平沢4ラインではHBM4に入る1c DRAMの生産能力を拡充している。
平沢と温陽の増設スケジュールも連動している。サムスン電子が平沢2段階5ラインをHBM生産の核心拠点として本格稼働させる時期は2028年である。この日着工した温陽5ラインは稼働目標を当初より約1年早めた2028年6月に設定している。サムスンは温陽の投資額46兆ウォンが今回の工場一棟の建設費ではなく、キャンパスにHBM生産ライン5つを整備するための中長期投資額であり、このうち40兆ウォンが設備に使われると説明した。
首都圏前工程の次の拡張地は龍仁市処仁区である。サムスン電子は亀井の既存キャンパスとは別に、先端システム半導体国家産業団地にファブ6棟を段階的に建設することにし、最初の生産ライン稼働目標は2029年10月である。湖南への投資はその後まで見越した決定であるという説明である。サムスン電子は昨年6月、光州に400兆ウォンを投資して新ファブ2棟を建設すると発表した。当時、李副会長は平沢工場が最終段階にあり、龍仁国家産業団地の投資スケジュールも早まっているため、新しい団地の準備時期が前倒しになったと説明した。
光州に建設されるファブはウェーハ上に回路を作る前工程生産施設である。サムスンの計画通りであれば、チップを生産するスペースは京畿南部から湖南に広がることになる。その間、忠清では既存の事業所を活用して先端後工程の規模と機能を共に拡大する。天安はHBM対応設備を増設・現代化し、温陽は汎用半導体の組立・検査から高性能メモリ積層に重心を移す。業界では忠清の意味が両側の中間にある地理的な位置よりも、ここで完成する製品が変わることにあると見ている。
李在鎔サムスン電子会長はこの日、着工式で「サムスン電子がより大きな責任感を持って代替不可能な韓国の成功神話のために、この忠清はもちろん、湖南圏と慶尚圏のメガプロジェクトを積極的に推進する」と強調した。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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