人工知能（AI）半導体の需要が急増する中、サムスン電子と台湾のTSMCなど、世界の主要半導体企業がオランダの半導体装置メーカーASMLの最先端装置を次々と導入している。従来よりもさらに微細な回路を描ける「ハイニューメリカルアパーチャ（High NA）極紫外線（EUV）」技術が次世代半導体生産の鍵として浮上している。
8日、ブルームバーグによると、サムスン電子とTSMCはそれぞれ2028年、2030年からASMLのハイNA EUV装置を大量生産に導入する計画である。
ハイNA EUV装置は最先端半導体製造の核心装置とされている。従来のEUV装置よりも光の開口数（NA）を高め、より広い角度から光を集めることができるため、ウェハにより微細な回路パターンを実現できる。従来のEUV装置で何度も露光しなければならない工程を減らし、半導体の微細化と生産効率を向上させることができる。装置の価格は1台あたり約4億ドル（約5375億ウォン）とされている。
すでにこの装置を導入したアメリカのインテルを含め、世界の主要半導体企業が次世代EUV技術を本格的に活用し始めている。
また、サムスン電子とTSMC、インテル、ASMLは、半導体製造に使用する「フォトマスク」のサイズを従来の6インチから12インチに拡大する技術開発も進めている。
フォトマスクは半導体ウェハに光で回路パターンを繰り返し刻むために使用する設計版である。半導体業界は数十年間6インチのフォトマスクを使用してきたが、半導体回路がますます微細化し、AI半導体のような大きく複雑なチップへの需要が増加する中で、従来のフォトマスクサイズの限界も大きくなっている。
ASMLによると、新しい技術を適用することでハイNA EUV装置の生産処理量を最大40%向上させると同時に、設計工程も簡素化できる。マルコ・ピータースASML最高技術責任者（CTO）は「ハイNA EUV技術が半導体の大量生産に本格的に使用されるための重要な進展」と述べ、「顧客が従来の技術よりもハイNA EUV装置の利点を認めている」と語った。
実際、フォトマスクを12インチに転換する作業は技術的に複雑でコストもかかるため、これまで容易に進められなかった。しかし、AI半導体の需要が急速に増加する中で、サムスン電子、TSMC、インテルなどASMLの主要顧客が生産性を向上させ、コストを削減するために12インチフォトマスク技術の開発に力を入れている。
特にTSMCはこれまでコスト対効果の問題からハイNA EUV装置の導入に慎重だったが、AI半導体の需要が急増する中で次世代生産技術の確保に本格的に乗り出したと解釈される。TSMCは従来の6インチフォトマスクを使用するハイNA EUV装置を2030年から導入し、その後12インチフォトマスク技術を開発して段階的に生産に適用する計画である。
ウェイ・ジャーTSMC最高経営責任者（CEO）は「半導体産業で技術的問題を解決するために協力してきた」と述べ、「技術的障壁がコスト問題に繋がる前にこれを克服することが重要である」と語った。
ASML全体の売上の約16%を占める主要顧客であるTSMCのハイNA EUV装置導入は、ASMLにとっても大きな意味を持つとブルームバーグは評価している。
ASMLは世界で唯一EUV露光装置を生産できる企業である。EUV装置は世界最先端のAIアクセラレーターと半導体を生産するために不可欠な装置である。ASMLは半導体プロセス技術が進展するにつれてハイNA EUV装置の需要も増加すると見込んでいる。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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