SKハイニックスが第5世代高帯域幅メモリー(HBM)である「HBM3E」を本格量産する。
SKハイニックスは超高性能人工知能(AI)用メモリー新製品「HBM3E」を世界で初めて量産し、今月末から製品供給を開始すると19日、明かにした。 昨年8月、HBM3Eの開発を知らせてから7ヵ月ぶりのことだ。
今回の新製品は、NVIDIAの次世代グラフィック処理装置（GPU）に搭載される見通しだ。 エヌビディアはHBM新製品を真っ先に搭載し、市場を主導している。
SKハイニックスは“HBM3に続き、現存Dラムの最高性能が具現されたHBM3Eも一番先に顧客に供給することになった”とし、“HBM3Eの量産も成功的に進行し、AIメモリー市場での競争優位を継続する”と明らかにした。
大量のデータを迅速に処理しなければならないAIシステムを具現するためには数多くのAIプロセッサーとメモリーを多重接続する方式で半導体パッケージが構成されなければならない。 これを受け、AIへの投資を増やしているグローバルビックテック企業各社はAI半導体の性能に対する要求水準を引き続き高めており、HBM3Eはこれを満たす現存最適の製品になるだろうとSKハイニックスは期待している。
SKハイニックス側は、HBM3Eが速度や発熱制御などAIメモリーに要求されるすべての部門で、世界最高の性能を備えていると強調した。 この製品は1秒当たり最大1.18TBのデータを処理し、これはFHD級映画(5GB)230本分を超えるデータを1秒で処理する水準だ。
また、AIメモリーは極度に速い速度で作動しなければならないだけに、効果的な発熱制御がカギだ。 会社はこのため、新製品にアドバンスドMR-MUF工程を適用し、熱放出性能を前世代比10%向上させた。 MR-MUFは半導体チップを積み上げた後、チップとチップの間の回路を保護するため、液体形態の保護材を空間の間に注入して固める工程だ。
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