SKハイニックスは今年3四半期の売上9兆662億ウォン、営業損失1兆7920億ウォン（営業損失率20%）、純損失2兆1847億ウォン（純損失率24%）の経営実績を達成したと26日、発表した。 昨年同期対比の売上高は17.5%減少し、営業利益は赤字転換になった。
SKハイニックスは“高性能メモリー製品を中心に市場需要が増加し、会社の経営実績は1四半期を底点に持続的に改善されている。 特に、代表的なAI用メモリーであるHBM3、高容量DDR5と共に、高性能モバイルDラムなど主力製品の販売が好調を見せ、前四半期対比売上は24%増加し、営業損失は38%減少した”とし、“ただ、何よりも今年1四半期に赤字に転じたDラムが2四半期ぶりに黒字転換したことに意味を置いている”と述べた。
売上増加傾向に対し、SKハイニックスはDラムとNANDの両方販売量が増えたのはもちろん、Dラム平均販売価格(ASP、Average Selling Price)上昇が大きな影響を及ぼしたと分析した。
製品別に見れば、DラムはAIなど高性能サーバー用製品販売好調に支えられ、2四半期対比出荷量が約20%増え、ASPもまた約10%上昇した。 NANDも大容量モバイル製品とSSD(Solid State Drive)中心に出荷量が増えた。
黒字に転じたDラムは、生成型AIブームと共に、市況が持続的に好転する見通しだ。 赤字が続いているNANDも市況が良くなる兆しが徐々に現れており、会社は全社経営実績の改善傾向を継続するために万全を期するという立場だ。
会社側は“実際に今年下半期、メモリー供給会社の減産効果が可視化される中、在庫が減った顧客を中心にメモリー購買需要が創出されており、製品価格も安定傾向に入っている”と伝えた。
このような流れに合わせ、SKハイニックスはHBMとDDR5、LPDDR5など高付加価値主力製品に対する投資を増やす方針だ。 会社はDラム10ナノ第4世代(1a)と第5世代(1b)中心に工程を転換する一方、HBMとTSVに対する投資を拡大する計画だ。 TSV(Through Silicon Via)はDラムチップに数千つの微細な穴を開け、上層と下層チップの穴を垂直に貫通する電極で連結するアドバンスドパッケージング(Advanced Packaging)技術を意味する。
SKハイニックスのキム·ウヒョン副社長(CFO)は“当社は高性能メモリー市場を先導しながら、未来AIインフラの核心になる会社として強固に位置づけられている”とし、“今後、HBM、DDR5など当社がグローバル首位を占めた製品を通じ、既存とは異なる新しい市場を創出し、高性能プレミアムメモリー1等供給者としての地位を持続強化していく”と述べた。
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