[サムスン電子、10ナノ2世代のFinFET工程の量産突入]
サムスン電子は29日、10ナノ2世代のFinFET工程(10LPP、Low Power Plus)基盤のSoC(System on Chip)製品の量産を開始すると発表した。
今回の10ナノ2世代の工程は既存の1世代工程(10LPE、Low Power Early)比性能と電力効率がそれぞれ10%、15%向上した。
また、10LPP工程はすでに量産を通じて検証された1世代の工程を基盤にするため、製品開発から量産までかかる時間(TAT)が大幅に減少し、初期の歩留まりの確保が容易な長所がある。
サムスン電子の10LPP工程が適用された製品は来年初めに発売されるIT新製品に搭載する計画で、多様な顧客と応用先に拡大適用される予定だ。
一方、サムスン電子は10ナノ2世代工程の量産とともに、火星キャンパスに位置したS3ラインのファウンドリ工程の量産準備を完了したと明らかにした。
S3ラインは器興(キフン)キャンパスのS1、米オースティンのS2ラインに続く3番目のファウンドリパブで、10ナノ工程はもちろん、EUV技術が適用されるサムスンの7ナノFinFET工程もここで量産される予定だ。
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