国内の半導体業界のトップであるサムスン電子とSKハイニックスの対外的な不確実性が高まっている。中国の半導体企業が研究開発（R&D）への投資と人員を積極的に増やし、技術の追撃を加速させている一方、米国では民主党の中間選挙勝利により、人工知能（AI）データセンター建設に関する規制の懸念が広がっている。
8日の業界によると、中国のDRAMメーカーである長新メモリーテクノロジー（CXMT）の今年上半期末のR&D人員は7491人で、昨年同時期（4655人）と比べて60.9%増加した。昨年末時点でのSKハイニックスの研究人員（9651人）の77.6%に相当する規模である。SKハイニックスの研究人員は2024年に9104人から昨年9651人に6%増加したのに対し、中国の人員拡充のスピードは際立っている。CXMTは研究人員の上半期平均給与も昨年の31万700元から今年は41万6200元に約34%増加させ、人材確保に力を入れている。
R&D投資額の増加も急速である。CXMTのR&D投資額は2023年に46億7000万元から昨年は95億9300万元に2年間で105.4%増加した。今年1〜9月の投資額は約110億元（約2兆2000億ウォン）で、前年同期比73%増である。
このような中国の攻撃的な投資は、汎用DRAM市場の競争激化につながる可能性が高い。CXMTは今年第3四半期に1187億元（約23兆8000億ウォン）の売上を記録し、前年同期比で613%成長した。高帯域幅メモリ（HBM）などの先端製品では国内企業との技術格差が依然として存在するが、汎用市場では存在感が増している状況である。
さらに、国内半導体企業の業績を支えてきた米国のAIメモリ需要に新たな変数が現れた。3日に行われた中間選挙で民主党が上下両院を奪還する「ブルーウェーブ」が現実化し、データセンター建設規制を公約した候補者が主要州知事選で相次いで勝利した。AIインフラ投資の拡大に伴い、HBMとサーバー用DRAMの需要が急増しているため、データセンター建設が遅れるとメモリ需要の増加が鈍化する懸念が出ている。
実際、米国の主要データセンター拠点であるテキサス州で、ジーナ・ヒノホサ州知事当選者が電力と水資源保護対策が整うまで新規データセンターの許可を中断する意向を示した。ジョージア州のキーシャ・ランス・ボトムズ当選者やオハイオ州のエイミー・アクタウン当選者もデータセンター建設の制限を公約した。ゴールドマン・サックスは、米国で計画されているデータセンターの増設容量の約45%が一時的な建設中断措置の影響を受ける可能性があると分析している。
当面、国内企業の業績に与える影響は限定的である。サムスン電子とSKハイニックスは主要顧客との長期供給契約（LTA）を通じて、来年度のメモリ供給量をかなり確保している。しかし、データセンター建設が遅れると、顧客のサーバー導入やメモリの納入スケジュールも調整される可能性がある。供給量を確保していても、実際の売上認識のタイミングや今後の需要予測には不確実性が増すことを意味する。
問題は、サムスン電子とSKハイニックスが大規模な設備投資を進める時期に、供給と需要の両方で変数が増えていることである。サムスン電子は今年、半導体設備投資に前年より61.7%増加した76兆8000億ウォンを投入する計画である。SKハイニックスも昨年の30兆1730億ウォンから今年は40兆ウォン台後半に投資を増やす見込みである。中国の汎用メモリ供給の拡大と米国のAIインフラ投資の遅延が現実化すれば、長期的に国内企業の生産能力拡充と収益性確保にも負担が増す可能性があるとの分析が出ている。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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