2026. 11. 11 (水)

サムスンは技術確保、SKは供給網の先取り…相反する日本半導体攻略法

  • サムスン電子、APL基盤の自社技術力を確保…5年間で3500億ウォン投資

  • SKハイニックス、日本の素材・部品・装置供給網と協力…現地生産施設投資も検討

写真=聯合ニュース
[写真=聯合ニュース]

サムスン電子とSKハイニックスは、日本の半導体エコシステムとの協力拡大に加速をかけている。サムスン電子は現地の研究開発(R&D)拠点を中心に次世代技術の確保に集中している一方、SKハイニックスは核心素材・部品・装置(ソブジャン)企業との協力を強化し、供給網の先取りに重きを置いている。

3日、業界によると、サムスン電子は日本の横浜に設立した先進パッケージング研究拠点「アドバンストパッケージングラボ(APL)」を中心に、現地のソブジャン企業との技術協力を拡大している。APLは半導体の性能を向上させるための先進的なパッケージング素材とプロセス技術を開発・検証する研究施設である。李在鎔サムスン電子会長は、先月1日にAPLを訪れ、技術開発の現状を直接確認した。

サムスン電子は2024年から5年間で400億円(約3500億ウォン)を投資し、現地の研究基盤を構築する。すでに100人以上の現地人材を採用しており、日本政府と地方自治体から最大225億円の支援を受けることができる。これは全体投資額の約56%に相当する規模である。日本のソブジャン企業と次世代パッケージング技術を共同開発し、自社の半導体競争力を高めるという構想である。

一方、SKハイニックスは日本のソブジャン企業との協力を通じて安定した供給網の確保に乗り出した。先月29日に日本で初めて開催された「パートナーズデイ」には、東京エレクトロン(TEL)、信越化学、JSRなど主要な協力企業20社以上が参加した。SKハイニックスは中長期の技術開発計画と需要予測を共有し、協力企業の先行的な設備投資と生産能力の拡大を促した。

これはAIメモリ需要の急増に対応し、核心素材と設備を安定的に確保しようとする戦略と解釈される。高帯域幅メモリ(HBM)生産施設を拡大しても、素材・設備供給が支えられなければ生産量を増やすことに限界があるためである。

SKハイニックスは日本現地の生産施設投資の可能性も開いている。崔泰源SKグループ会長は最近、日本のNANDフラッシュ企業キオクシアとの共同生産を協力策の一つとして挙げた。SKハイニックスは過去にキオクシアに約4兆ウォンを投資したことがある。既存の投資関係を基に、現地生産拠点と供給網の協力を拡大する可能性が示唆される。

両社が日本に向かう理由は、世界的なソブジャン競争力を持っているからである。日本の経済産業省によると、日本企業は世界の半導体製造設備市場の約31%、素材市場の約48%を占めている。特に東京エレクトロンは半導体の微細回路形成に必須な感光液塗布・現像設備市場で90%以上のシェアを確保している。半導体の核心素材であるシリコンウェハー市場も信越化学とサムコが主導している。

AI半導体の高度化により、日本のソブジャンの影響力はさらに増している。HBMは複数のDRAMを垂直に積み重ねて接続する構造で、積層数が増えるほど製造プロセスの精密度が重要になる。素材の微細な欠陥と設備性能が歩留まりと生産コストを左右するため、ソブジャン企業との協力が半導体競争力の核心要因として浮上している。

半導体業界関係者は「中国企業の技術追撃が加速する中で、国内半導体企業が競争優位を維持するためには次世代技術の開発だけでなく、安定した供給網の確保も重要になってきた」と述べ、「日本は核心素材と設備分野で高い競争力を持っているため、国内企業との協力がさらに拡大する可能性がある」と語った。




* この記事はAIによって翻訳されました。
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