サムスン電子は、ASMLが主導する次世代12インチフォトマスク開発コンソーシアムに参加する。2028年には業界初となる先進DRAM製造に「高NA EUV」装置を導入する。次世代露光装置の導入にとどまらず、これを適切に活用するためのフォトマスク規格と製造エコシステムを共に構築する意義がある。
サムスン電子は8日、ASMLの「大型マスクコンソーシアム」に参加し、12インチフォトマスクの共同研究と標準開発に取り組むと発表した。現在の露光プロセスで使用されている6インチマスクを12インチに転換することが目標である。
フォトマスクは半導体回路パターンを刻んだ型である。露光装置がマスクに光を照射し、ウェーハに回路を実装するため、微細プロセスが進むほどマスクの精度と規格の重要性が増す。
高NA EUVでは、従来より狭くなった露光領域のため、大きなチップを何度も分けて撮影した後に接続する「ステッチング」が必要になる場合がある。12インチマスクを使用することで、このような制約を減らし、プロセス段階を単純化し、生産性を向上させることができる。
12インチ大型マスクは、高NA EUVのステッチング問題を減らす代替案として半導体業界で議論されてきた。しかし、マスク原版から回路記録・検査・輸送、さらには露光装置まで関連サプライチェーンを一緒に変更する必要があるため、機器メーカーと半導体製造業者、マスクエコシステムが共同で規格を作ることが商業化の重要な課題とされている。
サムスン電子は2028年から高NA EUVを先進DRAM製造にも適用する計画である。従来のEUVよりも微細な回路を実現できるため、DRAMの微細化限界を遅らせ、何度も繰り返していたパターニングプロセスを減らすことができると判断している。
サムスン電子は過去にDRAM量産にEUVを業界初で適用し、マルチパターニングプロセスを減らし生産性を向上させてきた。今回はファウンドリーで先に適用してきた次世代露光技術をメモリまで拡大し、AI用高性能DRAMの製造競争力を引き上げる戦略である。
全英賢 サムスン電子代表取締役副会長は「ファウンドリーとメモリを含む先進半導体製造のリーダーシップを維持し、ASMLとの協力を強化して『次世代AI』のための技術基盤を整える」と述べた。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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