中国の半導体企業は、巨額の資金力と国内市場を背景に、DRAMおよびNANDフラッシュ市場で急速に成長している。中国最大のDRAM企業である長新メモリ（CXMT）は世界4位にランクインし、揚子メモリテクノロジー（YMTC）はNAND市場で初めて3位に浮上した。サムスン電子とSKハイニックスは、高帯域幅メモリ（HBM）などの高付加価値AIメモリを前面に出し、中国の攻勢に対抗している。
30日、市場調査会社オムディアによると、YMTCのNANDウェーハ生産量は今年201万枚から来年249万6000枚に約24％増加する見込みである。YMTCは今年第2四半期の出荷量で世界NAND市場の3位に上昇した。年末には武漢の第3工場の稼働を開始し、生産能力を2倍以上に拡大し、早ければ来年末には世界NAND市場の1位に立つことを目指している。
一方、国内企業のNAND生産量は事実上横ばいになる見込みである。サムスン電子は今年477万枚から来年484万5000枚、SKハイニックスは同期間に279万枚から286万5000枚にわずかに増加する見込みである。サムスン電子とSKハイニックスが収益性の高いDRAMとHBMに投資を集中させる中、中国企業は攻撃的な増産を通じてNAND市場の隙間を狙っている。
DRAM市場ではCXMTが急速に追い上げている。オムディアによると、CXMTの世界DRAM市場シェアは昨年第4四半期の4.7％から今年第1四半期には7.6％に上昇し、1四半期で2.9ポイント増加した。サムスン電子、SKハイニックス、アメリカのマイクロンに次いで、世界4位の水準である。
追加の増設資金も確保した。CXMTは最近、企業公開（IPO）を通じて最大14兆ウォンの資金を調達し、生産ラインの高度化と次世代DRAMの研究開発（R&D）に投資する計画である。現在月20万〜30万枚の生産能力を長期的には60万枚以上に拡大する見込みである。計画通りに増設が進めば、汎用DRAM市場での供給増加による価格圧力も避けられないと見られている。
ただし、HBMなどのAIメモリでは、国内企業と中国企業の技術格差が依然として大きいとの評価がある。サムスン電子とSKハイニックスはHBM4の量産に入った後、次世代HBM4Eの開発と顧客への供給を進めている。一方、CXMTはHBM3系の生産安定化を目指している段階とされている。HBMは歩留まりや積層・熱管理技術だけでなく、グローバルなビッグテックの品質認証や大量生産の経験も必要であり、中国企業が短期間で格差を縮めるのは容易ではないとの分析がある。
サムスン電子とSKハイニックスは、中国との汎用製品での価格競争を避け、HBMやサーバー用DRAM、企業向けソリッドステートドライブ（SSD）などの高付加価値製品の比率を拡大している。AIデータセンターへの投資拡大により、高性能・高容量メモリの需要が急増しており、AIメモリ技術力とグローバルなビッグテックの顧客基盤を活かして収益性を確保する方針である。
問題は、中国の汎用メモリの支配力が長期的に先進メモリを追いかける足がかりとなる可能性があることである。巨大な国内市場を背景に、生産規模と原価競争力を確保した後、蓄積した資金と量産経験をHBM・サーバー用DRAMなどの高付加価値製品に再投資できるからである。例えば、最近IPOで大規模な資金を確保したCXMTが、2028年には中国のDRAM需要の50％、HBM需要の40％を満たすことができるとの予測が出ている。YMTCも6兆8000億ウォン規模でIPOを進めており、調達資金は生産施設の高度化とR&Dに投入される予定である。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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