2026. 07. 29 (水)

中国の半導体恐怖が株式市場を襲う…全体的な反応は過剰との見解

  • 中国のDUV露光装置はまだ試作品段階…安定的な量産には約1年が必要

  • 中国の半導体自立対応は企業の技術力に依存…さらなる格差を広げる必要がある

写真=ゲッティイメージバンク
[写真=ゲッティイメージバンク]
中国のCXMT上場とDUV露光装置の開発ニュースが国内の半導体株急落の要因となったが、三星電子とSKハイニックスに直ちに脅威を与えるレベルではないとの診断が出た。ただし、中国の汎用メモリの低価格攻勢は中長期的な負担となる見込みである。

国内の主要な中国経済専門家である全病書(チョン・ビョンソ)中国経済金融研究所所長は、当日、アジア経済との通話で、国内株式市場が中国発のニュースに過剰に反応した側面があると診断した。

全所長は「株価が急落する中でCXMTと中国半導体技術に対する解釈が過度に拡大した」と述べた。彼はCXMTが汎用DRAMを中心に事業を拡大しているが、三星電子とSKハイニックスは人工知能(AI)サーバー用の高帯域幅メモリ(HBM)の供給比率を急速に増やしており、主力顧客層が直接重ならないと指摘した。

また、中国製DUV露光装置が国内半導体産業に与える短期的な影響も限られていると評価した。試作品の開発と安定的な量産体制の構築にはかなりのギャップがあるためである。

大宇証券(現未来アセット証券)リサーチセンターでIT担当アナリストを務めたこともある全所長は、「中国のDUV露光装置はまだ試作品を作り、生産ラインに投入する段階であり、実際の生産過程で安定性と歩留まりを確保し、本格的な量産に入るには今後1年程度は必要かもしれない」と見込んだ。

CXMTやNANDフラッシュ企業YMTCなど中国のメモリー企業が三星電子・SKハイニックスとの技術格差を3~4年程度まで縮めたとの評価についても、単純比較は難しいと指摘した。

彼は「中国と韓国の半導体企業全体を見て技術格差が何年かと言うのは、アメリカ人と韓国人のどちらがより大きいかと尋ねるのに似ている」と述べ、DRAMやNAND、HBMなど製品ごとに技術レベルや歩留まり、生産能力が異なるため、詳細な領域に分けて評価する必要があると語った。

さらに、中国半導体産業の最大の脅威として汎用製品の低価格攻勢を挙げた。中国政府の支援を受けたCXMTが生産能力を急速に拡大すれば、汎用DRAMの価格とグローバルメモリー企業の収益性に圧力をかける可能性があるとの分析である。

韓国の対応については、政府の政策よりも企業の技術競争力の確保が重要であると評価した。全所長は「中国の半導体自立政策への対応は我々の政府の戦略よりも個別企業の競争力に依存している」とし、「三星電子とSKハイニックスがより高度な技術を開発し、中国企業が追いつけない格差を持続的に作り出すことが重要である」と述べた。

急激な変動性にさらされている個人投資家には、一度に方向を決めるのではなく、分割売買で対応することを勧めた。彼は「半導体株の調整を買いの機会と見るか、追加の下落に備えるかは投資者の判断に依存する」としつつも、現在のように不確実性が大きい状況では、一度に買ったり売ったりするのではなく、分割買いと分割売りの原則を守りながら市場を観察する方が望ましいと述べた。

28日、国内株式市場は半導体株を中心に売りが殺到し、大幅に下落した。コスピは前日比732.09ポイント(10.84%)下落し6023.66で取引を終え、コスダック指数は59.01ポイント(7.72%)下落し705.85で取引を終えた。

三星電子とSKハイニックスはそれぞれ13.39%、14.65%下落し、指数の下落を主導した。急速に下落幅が拡大し、ユニコーン市場とコスダック市場ではともにサーキットブレーカーが発動され、コスピは取引中に6000ポイントを下回る場面もあった。



* この記事はAIによって翻訳されました。
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