サムスンとSKが提示した国内投資規模が4700兆ウォンを超え、政府が発表した1500兆ウォン規模のメガプロジェクトとの違いに注目が集まっている。両者は半導体と人工知能（AI）インフラへの投資を前面に出しているが、まだ変数が多く、算出範囲と基準が異なるため単純比較は難しいとの分析がある。
29日、聯合ニュースによると、サムスンは2026年から2040年までに国内に総額2655兆ウォンを投資する中長期計画を発表した。SKもAIデータセンターやAIメモリ生産ベルトを含め、総額2100兆ウォン規模の国内投資ロードマップを示した。両グループを合わせると約4755兆ウォンになる。
一方、政府が同日に明らかにした投資規模は約1461兆ウォンである。ホナム地域の半導体生産拠点800兆ウォン、忠清地域のHBMパッケージング拠点81兆ウォン、AIデータセンター550兆ウォン、次世代半導体研究開発30兆ウォンなどを合算した数値である。政府はこれを四捨五入して『1500兆投資』と説明した。
両者の数値が大きく異なる最大の理由は集計範囲である。政府の発表は地方投資と新規プロジェクト中心であるのに対し、サムスンとSKの発表には首都圏の半導体クラスターや既存の増設計画、系列会社別のAIデータセンター、ディスプレイ、バッテリー、エネルギー投資まで含まれている。
サムスンの場合、平沢・龍仁の半導体クラスターに2030兆ウォン、ホナム・忠清・慶尚南道に625兆ウォンを投資する計画である。SKはSKテレコムのAIデータセンター投資とSKハイニックスの龍仁、清州、ホナム地域のAIメモリ生産ベルト構築計画を含めている。
地域別に見ると、政府と企業の発表を総合した投資規模はホナム地域896兆ウォン、忠清地域392兆ウォン、慶尚南道270兆ウォン程度と推定される。ホナム地域には半導体ファブ4基とAIデータセンター、スマート家電・エネルギー投資が含まれ、忠清地域にはHBMパッケージング、ディスプレイ、バッテリー、バイオ投資が反映されている。慶尚南道はフィジカルAI、自動車、造船、宇宙航空、エネルギー分野が中心である。
半導体業界では、今回の投資発表が実際の着工・執行額というよりも、10年以上にわたる生産能力拡充計画に近いとされており、今後の電力網、水資源、許認可、人材確保のスピードが投資の現実化の鍵となると見られている。
特に地方の半導体拠点は首都圏クラスターとは異なり、既存の協力会社エコシステムが薄いため、素材・部品・設備企業の誘致と定住条件の整備が並行されなければ、投資のスピードが遅くなる可能性があるとの指摘もある。
投資額が大きく増加した背景には、半導体工場建設費の上昇もある。業界では、過去30兆ウォン前後だった半導体ファブ1基の投資費が最近60兆ウォンを超え、100兆ウォン以上に達したと報告されている。AI半導体用の先端プロセスやHBM生産ライン、パッケージング設備が結合され、単位投資費が急激に上昇したためである。
サムスン電子はすでに龍仁国家産業団地と平沢キャンパスに大規模な投資を進めている。SKハイニックスも龍仁半導体クラスターと清州の先端パッケージングファブへの投資を並行して行っている。これにホナム地域の新規生産拠点とNAND新ファブの構想が加わり、企業発表の全体投資規模が大きくなったと考えられる。
業界関係者は「政府の数値は地方中心の新規プロジェクトを強調したものであり、企業の数値は長期的な国内投資の青写真に近い」と述べ、「数字自体よりも、実際にどの地域にどのような生産施設がいつ設置されるかがより重要である」と語った。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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