SKハイニックスは世界最高層である321段1Tbトリプルレベルセル(TLC)4D NANDフラッシュを適用したモバイル用ソリューション製品であるUFS 4.1を開発したと22日、明らかにした。
SKハイニックス側は“モバイルでオンデバイス人工知能(AI)を安定的に具現するためには搭載されるNANDソリューション製品も高性能と低電力特性を等しく備えなければならない”とし、“AIワークロードに最適化されたUFS 4.1基盤製品を通じ、フラッグシップスマートフォン市場でもメモリーリーダーシップを先導する”と述べた。
最近、オンデバイスAIの需要が増加し、機器の演算性能とバッテリー効率間のバランスが重要になっており、モバイル機器の薄い厚さと低電力特性は業界標準として位置づけられている。
このような流れに合わせ、SKハイニックスは今回の製品の電力効率を前世代の238段NAND基盤製品対比7%改善した。 製品の厚さも1㎜から0.85㎜に減らすことに成功し、超スリムスマートフォンに搭載できるように開発した。
また、今回の製品はUFS第4世代製品の順次読み取り最大性能である4300MB/sのデータ伝送速度を支援する。 モバイル機器のマルチタスク能力を左右するランダム読み取りと書き込み速度も、前の世代に比べてそれぞれ15%、40%向上し、現存するUFS 4.1製品で世界最高の性能を達成した。
これに対し、オンデバイスAI具現に必要なデータを遅延なく供給し、アプリ実行速度と反応性を高め、使用者が体感する性能向上に寄与するものと期待される。
SKハイニックスは512GB、1TBの2種類の容量バージョンで開発した今回の製品を年内に顧客会社に提供して認証を進め、来年第1四半期から本格的な量産に突入する計画だ。
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