半導体業況サイクルの騰落と人工知能(AI)用メモリー半導体の供給遅延などで実績不安が続いているが、超格差技術確保のためのサムスン電子の執念は衰えない様子だ。 研究開発(R&D)と施設投資がそれぞれ7年と6年連続で最高値を更新している中、規模も2倍以上拡大した。
13日、サムスン電子の事業報告書によると、昨年のR&D投資は34兆9981億ウォンで、前年（28兆3397億ウォン）比23.5%急増した。 2011年に初めて10兆ウォンを超え、2017年から一年も欠かさず増え、2019年には20兆ウォンを突破した。 30兆ウォンを超過したのは昨年が初めてだ。
施設投資も2018年から6年連続で最大値を更新している。 2019年26兆9000億ウォンから2020年38兆5000億ウォン、2021年48兆2000億ウォンを経て、2022年から毎年50兆ウォン台を記録している。 昨年の施設投資額は53兆6000億ウォンと集計された。
サムスン電子は2018年、Dラム·ナンド価格の急落、2020年コロナパンデミックなど多くの危機の中でも投資拡大を止めなかった。 グローバル半導体・ディスプレイ・人工知能(AI)など先端分野で超格差技術力を確保することに集中した。
サムスン電子のR&D投資は、半導体やAI、次世代ディスプレイなど、未来の成長エンジンを確保するための戦略的な方向性とつながっている。 半導体分野では超微細工程および次世代メモリー開発に集中し、AI技術確保にも攻撃的な研究開発を進めている。
特に、半導体産業が激しい競争構図に置かれた状況で、サムスン電子の研究開発投資の増加はグローバル市場での技術優位を維持するための必須行動と解釈される。
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