SKハイニックスのキム·チュンファン副社長(R&D工程担当)が“シリコン貫通電極(TSV)は現在MR-MUFと共に、高帯域幅メモリー(HBM)の核心競争力になった”と強調した。
キム副社長は2日、自社ニュースルームとのインタビューで、“TSV工程技術の安定化とインフラ構築に重点を置いて研究開発(R&D)にさらに邁進し、量産品質改善活動も進め、ついにHBM量産に成功することになった”と明らかにした。
先立って、SKハイニックスは2009年、高性能メモリー需要が増加すると見て、TSV技術に注目、HBM開発に約4年を精魂を込めた結果、2013年12月に初めてHBMを披露した。
TSVはチップに微細な穴を開け、上·下段チップを電極で連結して積層し、高容量・高帯域幅を具現する技術だ。 1992年、SKハイニックスに入社したキム副社長は、HBMの中核であるTSV要素技術の開発に大きく貢献し、HBM工程の基礎を築いたものと評価される。
また、10ナノ級5世代（1b）Dラム微細工程に極紫外線（EUV）装備を導入し、業界最高水準の生産性と原価競争力を確保し、これを6世代（1c）Dラムにも拡大適用した。 また、HKMG技術をDラムに適用し、メモリー性能・効率を高めるなど、先端技術で目立つ成果を出した。 キム副社長は“1b Dラム基盤のHBM3E（第5世代）は先端技術とTSVノウハウを集大成した結果”と述べた。
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