SKハイニックスが世界最高層321段1Tb(テラビット)TLC(Triple Level Cell)4D NANDフラッシュの量産を開始したと21日、明らかにした。
従来の最高層製品である238段NANDを超えた業界初の300段以上のNANDフラッシュで、既存世代に比べてデータ伝送速度は12%、読み取り性能は13%向上した。 データ読み取り電力効率も10%以上改善し、性能とエネルギー効率を同時に強化した。
SKハイニックスは“昨年6月、直前世代最高層NANDである238段製品を量産し市場に供給してきたし、今回300段を越えるNANDも一番先に披露した”とし、“来年上半期から321段製品を顧客会社に供給し、市場要求に対応していく”と明らかにした。
SKハイニックスは321段製品開発過程で「3-プラグ(Plug)」工程技術を導入した。 この技術は3回のプラグ工程を通じて積み上げた各層を電気的に連結する方式で積層限界を克服し、生産効率を高めた。
底辺型(Low Stress)素材を開発してプラグ内の変形を減らし、プラグ間の自動整列補正技術で精度を向上させた。 また、SKハイニックスは前世代238段NANDの開発プラットフォームを321段製品にも適用し、工程変化を最小化しながらも生産性を59%高めた。
SKハイニックスは321段NANDで人工知能(AI)データセンターと高性能ストレージ市場を攻略し、活用範囲を広げる計画だ。
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