SKハイニックスが8段、12段積層に続き、16段HBM3E(第5世代高帯域幅メモリー)Dラム量産のための準備を終え、来年初めにNVIDIAなど顧客会社にサンプルチップを渡す計画だと明らかにした。 グローバルトップの人工知能（AI）メモリー会社という地位を固めるための攻撃的な動きと見られる。 当初の業界予測とは違って、16段積層にはハイブリッドボンディングの代わりに、従来の先端MR・MUF技術を引き続き活用する方針だ。
SKハイニックスのクァク·ノジョン代表は4日、ソウルCOEXで開かれたSK AIサミット2024の事基調講演者として上がってきて、“ネクストAIメモリー、ハードウェアツーエブリウェア」という主題で、SKハイニックスの次世代AIメモリー戦略に関して説明した。
クァク代表は”データを記録して残すことは人間の本能であり、それだけデータ急増時代にメモリーの役割が重要になっている“とし、”既存メモリーは過去から現在までを記録することに集中した反面、未来メモリーはAI推論などを通じて人類に新しい経験と未来をプレゼントすることになるだろう“と述べた。
そして、AI時代に備えるためのSKハイニックスの次世代メモリー製品群の紹介を続けた。
クァク代表はまず、16段HBM4(第6世代)Dラム開発に先立ち、16段積層に関する量産技術とノウハウを確保するため、チップ当たり容量が48GB(ギガバイト)に達する16段HBM3Eを開発し、来年初めに顧客にサンプルチップを渡すと明らかにした。
SKハイニックスは、16段チップ積層に量産能力が検証された先端MR・MUF(補充材充電)工程を活用することにした。 これと共に、バックアップ工程としてチップとチップを直接結合するハイブリッドボンディング技術の開発も続けると付け加えた。
クァク代表は“内部分析結果、16段HBM3Eは12段製品よりAI学習速度は18%、推論速度は32%さらに速いと調査された”とし、“今後、推論用AI加速器(GPU)市場が大きくなると予測されるだけに、16段製品は世界1位AIメモリー企業というSKハイニックスの地位をより一層強固にしてくれるものと期待される”と説明した。
それと共に、“HBM4からDラムチップを制御するベースダイエーロジック工程を導入する予定”とし、“このため、グローバル1位ファウンドリ(委託生産)業者であるTSMCのワンチームパートナーシップを一層強化する”と付け加えた。
最後にクァク代表は“今後のAIメモリー市場は顧客が望む容量と帯域幅、付加機能などを備えたカスタマイズHBMが新しいパラダイムに浮上する展望”と見通した。
SKハイニックスはこの他にも、今後のPCとデータセンターに活用されると予測される低電力LPCAMM2モジュールと1cnm基盤のLPDDR5とLPDDR6 Dラム開発のニュースも一緒に知らせた。 NANDの場合、PCIエクスプレスの第6世代基盤SSDと大容量QLC(4ビットセル)企業用SSD、UFS 5.0を準備している。
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