SKハイニックスがデータセンター用高性能ソリッドステートドライブ(SSD)「PEB110 E1.S」を開発したと11日、明らかにした。
会社側は“人工知能(AI)時代が本格化し、高帯域幅メモリー(HBM)のような超高速Dラムはもちろん、高性能NANDソリューション製品であるデータセンター用SSDに対する顧客需要も大きくなっている”と明らかにした。 それと共に、“PCIe(デジタル機器マザーボードで使用する直列構造の高速入出力インターフェース)5世代規格を適用し、データ処理速度と電力効率を画期的に改善した新製品を開発し市場に披露することになった”と説明した。
SKハイニックスは、超高性能製品であるPS1010を開発し、量産している。 PEB110の開発を通じ、一層強固になったSSDポートフォリオを構築することが期待される。
会社は現在、グローバルデータセンターの顧客会社とともに、PEB110に対する認証作業を進めている。 認証が終われば、来年第2四半期から製品量産を始め、市場に供給する計画だ。
新製品に適用されたPCIe第5世代は、従来の第4世代より帯域幅が2倍に広くなった。 PEB110のデータ転送速度は32GTs（1秒あたりギガトランスファー）に達する。 これにより、前世代に比べて性能は2倍向上し、電力効率も30%以上改善された。
また、SKハイニックスは自社のデータセンター用SSDでは初めて、今回の製品に情報セキュリティ機能を大幅に強化するSPDM技術を適用した。 SPDMはサーバーシステムを保護することに特化した核心セキュリティソリューションで、サーバーの安全な認証とモニタリングを支援する。
最近、データセンターに対するサイバー攻撃が増えている中、SPDMが搭載されたPEB110は、顧客の情報セキュリティ要求にも合致する製品になるだろうという期待だ。
SKハイニックスはこの製品を2TB(テラバイト)、4TB、8TBなど3つの容量バージョンで開発し、複数のグローバルデータセンターに適用可能な互換性を高めるためにOCP2.5バージョン規格を支援する。
SKハイニックスのアン·ヒョン副社長は“今回の製品は最高性能が立証された当社の238段4D NANDを基盤に開発され、原価、性能、品質の側面で業界最高水準の競争力を確保した”と説明した。
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