ロイター「サムスン電子のHBM3E 8段製品、NVIDIAの品質検証に合格···第4四半期から供給」

서울 서초구 삼성전자 서초사옥 사진아주경제DB
[写真=亜洲経済DB]

ロイター通信は7日、サムスン電子の第5世代高帯域幅メモリー(HBM)であるHBM3E(8段製品)がエヌビディア(NVIDIA)に納品するための「クォルテスト(品質検証)」をパスしたと報じた。

報道によると、サムスン電子とNVIDIAがまもなく供給契約を締結する計画であり、第4四半期から供給が行われるだろうと予想した。

また、サムスンはHBMのライバル会社であるSKハイニックスに追いつく上で、主要障害物を乗り越えることになった伝えた。

ただ、第5世代HBMのうち、HBM3E(12段製品)に対するテストはまだ進めているという。

HBMは2013年に初めて生産された動的RAMまたはDRAM標準の一つのタイプである。チップを垂直に積み上げてスペースを節約し、電力消費を減らす。AI用グラフィック処理装置(GPU)の核心構成要素であり、複雑なアプリケーションで生成された膨大な量のデータを処理するのに役立つ。

一方、HBM市場の主導権を握っているSKハイニックスはHBM3をNVIDIAに独占供給したのに続き、今年3月にはHBM3E(8段製品)を量産し、NVIDIAに供給し始めた。
 
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