高帯域幅メモリー(HBM)市場を先導しているSKハイニックスが、次世代パッケージング技術を通じて1位の神話を継続すると明らかにした。
SKハイニックスのイ・ギュジェPKG製品開発担当(副社長)は5日、自社ニュースルームインタビューを通じ、“SKハイニックスも放熱性能が優秀な既存のアドバンスドMR-MUFを持続的に高度化する一方、新しい技術を確保していく計画”と述べた。
MR-MUFは半導体チップを積み上げた後、チップとチップの間の回路を保護するために空間の間に液体形態の保護材を注入し、固める工程だ。 チップを一つずつ積む度にフィルム型素材を敷く方式より工程が効率的で、熱放出にも効果的だという評価を受けている。
SKハイニックスはHBMの主導権を確保するようになった時点を、MR-MUFが適用された第3世代HBM2Eの開発に成功した2019年からだと見ている。
イ副社長は“開発陣を信じて待ってくれた経営陣と顧客のおかげで結局、当社固有の技術であるMR-MUFが成功的に世の中に出ることができた”とし、“これを通じて品質と性能の側面で非常に安定的なHBM2Eの量産と供給が可能になった”と述べた。
SKハイニックスは昨年、第4世代12段HBM3と第5世代HBM3Eの開発に相次いで成功し、独歩的なHBM 1位のリーダーシップを守っている。 イ副社長と技術陣は成功の立役者をMR-MUF技術をもう一度高度化した「アドバンスドMR-MUF」に挙げる。
イ副社長は“12段HBM3からは既存よりチップの積層を増やしたために放熱性能をより一層強化しなければならなかった”とし、“特に、既存のMR-MUF方式では12段HBM3のさらに薄くなったチップが曲がる現象などを扱うのが容易ではなかった”と回想した。
それと共に、“このような限界を克服するため、会社は既存のMR-MUF技術を改善したアドバンスドMR-MUF技術を開発した”とし、“これを通じて昨年、世界で初めて12段HBM3の開発および量産に成功し、続いて今年3月、世界最高性能のHBM3Eを量産することになった”と述べた。
イ副社長は“今後もSKハイニックスがHBMリーダーシップを守っていくためには持続的に増えるカスタム製品要求に適期に対応するため、多様な次世代パッケージング技術を開発することが重要だ”と強調した。
一方、イ副社長はHBM開発の功績で、今年6月に同社のHBM核心技術陣と共にSKグループ最高栄誉である「2024 SUPEX追求大賞」を受賞した。 彼は“製品成功のために多くの構成員が『ワンチーム(One Team)』になって努力してきたおかげ」と感想を伝えた。
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