SKハイニックスが「7世代高帯域幅メモリー(HBM4E)」を早ければ2026年に開発完了し量産に乗り出す。 NVIDIAなど顧客会社のHBM需要急増で、過去2年がかかった次世代Dラム開発期間が1年水準に短縮されたためだ。 SKハイニックスが莫大な帯域幅(時間当たりに伝送できるデータ量)で、夢の人工知能(AI)メモリーとされるHBM4E関連ロードマップを公開したのは今回が初めてだ。
SKハイニックスのキム·グィウクTL(HBM先行技術チーム長)は13日、ソウルで開かれた国際メモリーワークショップ(IMW2024)行事で、このようなロードマップを公開し、“HBM Dラムはこの間2年周期で製品を開発したが、最近、技術発展でこの周期が1年ほど速くなった”と明らかにした。
2014年の第1製品発売後、2年周期で世代を変えた第1~5世代の高帯域幅メモリーとは違って、第6世代(HBM4E)と第7世代(HBM4E)はそれぞれ2025年と2026年に技術開発を完了し、量産に乗り出すという予測だ。
SKハイニックスがHBM4E開発ロードマップを公開したのは今回が初めてだ。 ただ、具体的な性能は未定だ。 キムTLは“HBM4はHBM3Eと比べ、△帯域幅は1.4 倍△集積度は1.3倍 △電力効率は30%改善される見通しだ”と明らかにした。
HBM4に適用する積層技術はチップとチップをすぐに結合する「ハイブリッドボンディング」より液体保護剤を活用する既存の「先端MR-MUF」方式を採択する可能性が高い。 キムTLは「ハイブリッドボンディングをHBM量産工程に適用するには収率問題がある」と関連理由を説明した。
SKハイニックスがHBM開発期間を操り上げ、サムスン電子・マイクロンなどライバル会社の次世代HBM Dラム開発にも速度がつく展望だ。 サムスン電子はHBM競争力を引き上げるため、HBM3Eは既存のHBM開発を担当していた「Dラム設計チーム」が、HBM4は最近新設した「HBM開発チーム」が専担することにした。
サムスン電子もこの日の行事で、次世代メモリー具現に活用できる次世代チャンネル素材「IGZO」について説明した。
サムスン電子・DS(デバイスソリューション)事業部のハ·デウォンマスターは基調講演を通じ、“高いメモリー容量と帯域幅を具現するため、10nm以下のDラム量産にはIGZOチャンネル素材技術が重要になるだろう”と明らかにした。
IGZOチャンネル素材を活用すれば、セルを垂直に積み上げ、データ処理容量を既存Dラム対比3倍以上拡大した「3D Dラム」商用化に速度を上げることができる展望だ。
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