SKハイニックスが急増する人工知能(AI)半導体の需要に先制対応するため、AIインフラの核心である高帯域幅メモリー(HBM)など、次世代Dラム生産能力(キャパ)の拡張に乗り出す。 既存のファブ増設計画を白紙化し、HBMに合う新しい投資計画を立てた後、速やかにファブを増設し、ビッグテックなど顧客会社のHBM需要に対応する方針だ。
SKハイニックスは24日、取締役会決議を経て、忠清北道清州（チョンジュ）市に建設する新規ファブ(Fab・半導体生産工程)「M15X」を新規HBM生産基地に指名し、ファブ建設に約5兆3000億ウォンを投資することを決めた。
SKハイニックスは今月末からファブ建設工事に本格的に乗り出し、2025年11月の竣工後、HBMなどAIメモリーの量産を開始する計画だ。 装備投資も順次進め、長期的にM15Xに計20兆ウォン以上の投資を執行する。
M15Xは現在、NAND型フラッシュを量産中のM15ファブの隣に新規ラインを増設する形で建設する。 これに対し、「M15拡張（Extension）」という意味で、「M15X」と名付けた。
今回のM15X投資計画は、従来のM15X建設計画を白紙化し、生産能力をHBMに合わせて大幅に拡大したのが特徴だと会社側は説明した。 SKハイニックスは2022年、DDR(ダブルデータレート)など既存のDラムに最適化したM15X着工計画を立てて敷地造成に着手したが、昨年4月、半導体ダウントン(不況)の余波で、関連工事を中断したことがある。
SKハイニックスは“AIメモリーグローバルリーダーである当社は競争力の根幹である国内生産基地に対する投資拡大で、国家経済活性化に寄与し、半導体強国の大韓民国の地位を高めたい”とM15X建設と生産能力拡大理由を説明した。
AI時代が本格化し、半導体業界はDラム市場が中長期的な成長局面に入ったと見ている。 年平均60%以上の成長が予想されるHBMとともに、サーバー用の高容量DDR5モジュール製品を中心に一般Dラムの需要も着実に増加するものと会社は展望している。
このような流れで、一般Dラム製品と同じHBM生産量を確保するためにキャパが少なくとも2倍以上要求されるだけに、SKハイニックスはDラムキャパを増やすことが先決課題だと判断した。 これを受け、会社は2027年上半期、龍仁（ヨンイン）半導体クラスターの最初のファブ竣工前に清州（チョンジュ）M15XでHBMなど新規Dラムを生産することにした。 龍仁クラスターが完成する前にできるだけ早くキャパを拡張しようとする戦略だ。 M15Xはシリコン貫通電極(TSV)キャパ拡張中のM15と隣接しており、HBM生産に最適化できるという長所もある。
M15Xと共に、SKハイニックスは約120兆ウォンを投入する龍仁クラスターなど、計画された国内投資を支障なく進める方針だ。
現在、龍仁クラスターの敷地造成工程率は約26%で、目標対比3%ポイント早く工事が進行中だ。 SKハイニックスの生産施設が建設される敷地に対する補償手続きと文化財調査は全て完了し、電力・用水・道路などインフラ造成もやはり計画より早く進行している。 会社は龍仁の最初のファブを来年3月に着工し、2027年5月に竣工する予定だ。
SKハイニックスが進める国内投資はSKグループレベルの全体国内投資でも大きな軸を担当している。
2012年にSKグループに編入されたSKハイニックスは2014年から計46兆ウォンを投資し、利川（イチョン）M14を皮切りに、計3つの工場を追加で建設するという「未来ビジョン」を中心に国内投資を持続してきた。 その結果、2018年に清州M15、2021年に利川M16を順に竣工し、未来ビジョンを早期完成した。
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