サムスン電子が業界で初めて「1Tb(テラビット)TLC(Triple Level Cell)9世代V-NAND」の量産を始め、NAND型フラッシュ市場を主導する。
サムスン電子は△業界最小の大きさのセル（Cell） △最小モールド（Mold）の厚さを実現し、「1Tb TLC第9世代V-NAND」のビット密度（単位面積当たりの貯蔵ビット）を以前世代に比べ約1.5倍増加させた。
ダミーチャンネルホール(Dummy Channel Hole、区分用途の未動作チャンネルホール)除去技術でセルの平面面積を減らし、セルの大きさを減らしながら生じる干渉現象を制御するためにセル干渉回避技術、セル寿命延長技術を適用し、製品品質と信頼性を高めた。
「第9世代V-NAND」はダブルスタック(Double Stack)構造で具現できる最高段数製品で、「チャンネルホールエッチング(Channel Hole Etching)」技術を通じ、一度に業界最大段数を突破する工程革新で生産性も向上した。
「チャンネルホールエッチング」とはモールド層を順次積層した後、一度に電子が移動するホール(チャンネルホール)を作る技術だ。 特に、積層断数が高くなり、一度に多く開けるほど生産効率も増加するため、精巧化・高度化が要求される。
「第9世代V-NAND」は次世代NANDフラッシュインターフェースである「Toggle 5.1」が適用され、8世代V-NAND対比33%向上した最大3.2Gbpsのデータ入出力速度を具現した。 サムスン電子はこれを基盤に、PCIe 5.0インターフェースを支援し、高性能SSD市場を拡大してNAND型フラッシュ技術市場をリードしていく方針だ。
また、「第9世代V-NAND」は低電力設計技術を搭載し、前世代製品に比べて消費電力を約10%改善した。
サムスン電子は「TLC 9世代V-NAND」に続き、今年下半期「Quad Level Cell」9世代V-NANDも量産する予定で、AI時代に要求される高容量・高性能NANDフラッシュ開発に拍車をかける方針だ。
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