サムスン電子"HBM Dラム供給テスト、順調に進行"…外信報道に反論

サムスン電子がNVIDIAのHBM(高帯域幅メモリー)Dラム品質テストを通過できなかったという外信報道を否定し、HBM供給のための関連テストを順調に進めているという公式立場を明らかにした。

24日、サムスン電子はロイター報道に関する立場文を発表し、“多様なグローバルパートナーとHBM Dラム供給のためのテストを順調に進めている”と明らかにした。

続いて“現在、多数のメーカーと緊密に協力し、持続的にHBM Dラム技術と性能をテストしている”と強調した。

先立って、ロイターは匿名の消息筋を引用し、サムスン電子が4月、発熱と電力消費問題でNVIDIA HBM Dラム供給のための品質テストを通過できずにいると報道した。

これに対し、サムスン電子はHBM Dラムの品質と性能を徹底的に検証するため、社内で多様なテストを行っているとし、ロイター側の報道に反論した。

最後にサムスン電子は“すべての製品に対して持続的な品質改善と信頼性強化のために努力しており、これを通じて顧客に最上のソリューションを提供する予定”と明らかにした。

一方、同日のロイター報道の影響で、サムスン電子の株価は前日より2%pほど下がった状況で取引を開始した。 サムスン電子は“一部で提起する特定時点でのテスト関連報道は当社のイメージと信頼度を傷つける恐れがあるだけに、報道に慎重を期してほしい”と要請した。