サムスン電子、世界トップクラスの学術誌に「フラッシュメモリー」論文掲載
サムスン電子がフラッシュメモリーに対する絶え間ない研究・開発(R&D)で、世界トップクラスの学術誌に論文を掲載した。 サムスン電子は14日、半導体ニュースルームを通じて学術誌「Advanced Materials」にフラッシュメモリー貯蔵原理に関する論文を掲載したと明らかにした。 サムスン電子革新センターのCSE(Computational Science and Engineering)チームは、従来とは差別化されたアプローチを通じ、フラッシュメモリー情報貯蔵の核心的な役割を果たす非晶質シリコン窒化物で電子が安定して貯蔵される根本原理
2023-12-14 16:57:13