サムスン電子、米国に次世代3D Dラム研究開発組織の新設
サムスン電子が次世代3次元(3D)Dラムの開発に力を入れるメモリー研究開発(R&D)組織を新設し、超格差技術の競争力確保に乗り出す。 28日、業界によると、サムスン電子は米シリコンバレーにある半導体米州総括(DSA)に最先端のメモリー研究開発組織を立ち上げた。 同組織は、3D Dラムを先制的に研究し、開発する予定だ。 シリコンバレーの優秀な人材を積極的に迎え入れ、多様な半導体生態系と協力に乗り出す。 最近、メモリー業界は同じ面積に集積度を高め、性能がさらに優れた3D Dラムの開発に力を入れている。
2024-01-29 13:54:32