人工知能（AI）による需要拡大により、グローバルメモリ半導体業界は過去最高の好況を迎えている。主要企業の利益率は70%を超え、好況で得た資金は再び大規模な設備投資に向かっている。サムスン電子とSKハイニックスが国内生産拠点の構築を加速する中、中国企業も増産に乗り出し、メモリ市場の競争は一層激化する見込みである。
11日、ニッポン経済新聞がグローバル主要メモリ企業6社の実績を利息・税金控除前利益（EBIT）基準で比較した結果、4～6月期の利益率はすべて70%を超えた。中国の長新メモリテクノロジー（CXMT）が82%で最も高く、マイクロンが80%（3～5月）、サンディスクが78%、SKハイニックスが76%、キオクシアが74%、サムスン電子半導体事業が70%の順であった。
高い収益性はAIが引き起こしたメモリ供給不足から生じている。サムスン電子とSKハイニックス、マイクロンが限られた生産能力を高帯域幅メモリ（HBM）とサーバー用高付加価値Dラムに優先的に配分したため、PCやスマートフォンに使用される汎用Dラムの供給が減少した。さらに、AIサーバーの拡大に伴い高容量DDR5の需要も増加し、価格上昇がメモリ製品全般に広がった。市場調査会社トレンドフォースによると、今年第2四半期のグローバルDラム売上高は1547億3000万ドルで、前四半期比59.5%増加した。
好況で得た資金は再び設備投資に向かっている。サムスン電子は今年上半期だけで28兆1000億ウォンの設備投資（CAPEX）を実施した。平沢キャンパスP4を年内に完全稼働させる予定であり、昨年4月に本工事に入ったP5ファブ1に続き、P5ファブ2の建設スケジュールも前倒ししている。龍仁国家産業団地への投資も加速しており、サムスン電子はここに設置される6つのファブのうち、最初のファブの稼働時期を当初の2030～2031年から2029年に前倒しする方針を進めている。
SKハイニックスも龍仁半導体クラスターへの投資スケジュールを前倒ししている。当初2045年までに順次整備する予定だった4つのファブの完成目標を2033年に12年短縮した。龍仁2期ファブ（Y2）に35兆2000億ウォン、清州のNAND生産拠点M17に19兆1000億ウォンなど、合計54兆3000億ウォンを追加投入する計画である。
国内企業の投資が拡大する中、中国の追い上げも加速している。中国のDラム企業は汎用製品を中心に生産能力を増強し、サムスン電子とSKハイニックス、マイクロンが主導してきた市場での地位を広げている。中国最大のDラム企業CXMTは、現在3カ所のDラム工場を将来的に6カ所に拡大する計画である。
これにより、現在月30万枚のCXMTのウェーハ生産能力は2030年には60万枚以上に倍増する見込みである。グローバルDラム市場のシェアも昨年の8%から2028年には11%、2030年には15%まで高まると予想されている。中国企業が二桁のシェアを確保すれば、従来のメモリ3社中心の市場構造にも変化が予想される。
企業の相次ぐ増産は、今後のメモリ業界の変数としても挙げられる。現在はAI需要の増加と供給不足が相まって高い収益性が続いているが、新たな生産能力が本格稼働する時点まで需要の増加が維持されるかが鍵となる。特に中国を含むグローバル企業の生産能力が同時に増加する場合、供給不足が迅速に緩和される可能性もある。
市場調査会社カウンターポイントリサーチは、「韓国政府主導のメガプロジェクトによれば、サムスン電子とSKハイニックスのDラム生産能力は2倍に拡大する予定だが、目標時期は2031年である」とし、「製造業者は現在の高い営業利益を先端技術の開発とファブの増設に集中して投入するとともに、長期供給契約（LTA）を通じて今後のダウンサイクルにも備えている」と説明した。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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