サムスン電子は次世代人工知能（AI）メモリとして注目される高帯域幅フラッシュ（HBF）に関する商標権の確保に乗り出した。
27日、業界によると、サムスン電子は最近「zHBF」の商標権を出願した。これは未来に備えた商標権の確保であり、実際の開発はFMSで公開されたzNAND-Oで進められていることが確認された。
HBFはDRAMを垂直に積み重ねるHBMとは異なり、NANDフラッシュを積層して大容量と高いデータ転送速度を同時に実現する次世代メモリである。HBMとソリッドステートドライブ（SSD）間の性能・容量のギャップを埋める新しいメモリ層として注目されている。
AI市場が学習から推論へと拡大する中、HBFのような大容量・高帯域幅メモリの必要性も高まっている。AIモデルの規模と処理データが急増しており、高価なHBMだけでは必要なメモリ容量を確保することが難しくなっているためである。HBFはNANDの大容量特性を活用し、既存のSSDよりも迅速にデータを供給することで、AIアクセラレーターのメモリボトルネックを緩和する役割を果たす。
サムスン電子は独自の次世代NANDソリューションであるzNAND-Oの開発にも注力している。今月初め、アメリカ・カリフォルニア州サンタクララで開催された「FMS 2026」でzNAND-Oを初めて公開した。AI推論過程で要求される大容量データ処理に対応するための高性能NANDソリューションであり、次世代AIメモリ市場をターゲットにした製品である。
サムスン電子は次世代AIメモリ技術の開発範囲も広げている。FMSでは演算装置とメモリを垂直に積層する次世代3Dメモリ「zHBM」コンセプトも公開した。従来のHBMがAIアクセラレーターの横に配置されるのに対し、メモリをアクセラレーターの上に積み重ねて物理的距離を縮め、データ転送過程の遅延と電力消費を低減する構想である。
ただし、今回のzHBF商標出願が直ちに別の製品の開発や商用化を意味するわけではない。次世代AIメモリ市場の技術と製品名がまだ確立されていない段階であるため、今後の活用可能性に備えて知的財産権を先取りして確保したという意味で解釈される。
* この記事はAIによって翻訳されました。
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